固体的能带结构介绍.pptx

固体的能带结构;目 录; 固体物理既是一门综合性的理论学科又和;1982 80286 13.4万 80486 120万 1993 pentium 320万 1995 pentium MMX 550万 1997 pentium2 750万 集成度每 10 年增加 1000 倍 ！; 集成度的每一步提高，都和表面物理及光刻;先看两个原子的情况;各原子间的相互作用;能级;; 一. 电子在周期势场中的运动 电子共有化; 固体（这里指晶体）具有由大量分子、; 解定态薛定谔方程， 可以得出两点;二 . 能带中电子的排布;2p、3p能带，最多容纳 6Ｎ个电子。; 满带：填满电子的能带。; 不满带或满带以上最低的空带，称为导带。;;§4.2 导体和绝缘体;一.导体的能带结构; 导体在外电场的作用下，大量共有化电子;二.绝缘体的能带结构;§4.3 半导体的导电机构;例如半导体 Cd S：;2. 两种导电机构; 在外电场作用下，电子可以跃迁到空穴上来，这相当于 空穴反向跃迁。;当外电场足够强时，共有化电子还是能越;二. 杂质（impurity）半导体; n 型半导体 ;则 P 原子浓度～1018 cm?3;2. p型半导体;空 带;则B 原子浓度～1018 cm? 3;3. n型化合物半导体;三. 杂质的补偿作用;; 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。;; 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势;二 . p - n结的单向导电性; 外加正向电压越大， 形成的正向电流也越大，且呈非线性的伏安特性。;2. 反向偏压; 当外电场很强，反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大 — 反向击穿。;;定义：半导体p-n结或与其类似的结构加电压时以高效率发光的 器件。Light emitting diode , LED 二十世纪90年代才研制出高亮度LED。 颜色：紫外、紫光、蓝光、绿光、黄光、橙光、红光、红外、 白光 ;根据应用划分的超高亮度发光二极管市场;LED水下灯饰;汽车灯; 在电流作用下，n型层的电子和p型层的空穴发生扩散，电子和空穴复合发光。;可见光波长：380nm～770nm(700nm), 发光二极管波长：紫:380-410nm; 蓝:430-480nm; 绿:510-550nm; 黄:570-600nm; 红:620-700nm ; 白光LED发光原理 ;注入的电子和空穴数目； 非辐射复合中心的数目； 辐射复合几率； 出光效率; 获得较高载流子浓度的p型和n型材料； 减少缺陷和杂质浓度； 提高电子和空穴的复合几率； 提高出光效率。 ;提高复合几率（內量子效率）:量子阱结构;提高出光效率;(1)发光波长（λ）；一般用nm表示。 (2)正向电压:20mA时所用电压；一般用Vf 。 (3)输出光功率: 20mA时的输出光功率，用mW，W表示。 20mA时的输出光功率，单位：坎德拉，cd；mcd； 照明光源：流明/瓦；lm/W； 白炽灯（25lm/W）； 日光灯（80lm/W） (4)反向漏电流：反向5伏或10伏时的反向电流。;;（1）外延片生长： 金属有机气相沉积 metal organnic chemical vapor deposition（MOCVD） 生长参数： 温度、气压、原材料、 流量、 掺杂剂量;LED外延片结构：同质结、异质结、双异质结、 量子阱、量子点 发光二极管材料的选择： 1. 带隙宽度合适 2.有合适的衬底材料 3. 可获得高电导率n型和p型材料 4. 载流子复合几率大,