Q_BYL 08-2020晶体硅太阳电池.pdf

F12 Q/B YL 英利能源 （中国）有 限公司企业标准 Q/BYL 08—2020 代替 Q/BYL 08-2018 晶体硅太阳电池 2020-05-20 发布 2020-05-29实施 Q/BYL 08—2020 前  言 本标准主要参照GB/T29195-2012 《地面用晶体硅太阳电池总规范》，本标准代替Q/BYL08-2018， 主要修改内容如下： ——修订了多晶电池和单晶电池的外观要求和尺寸要求； ——删除了减反射膜附着强度要求； ——添加了背场水煮性能的要求及检测方法； ——添加了背场铝膜附着强度检测方法； ——添加了LeTID性能测试的要求及检测方法； ——修订了电性能里的温度系数要求； ——添加了EL测试性能要求； 本标准起草单位：英利能源 （中国）有限公司。 本标准主要起草人：李翠双、王静、张丽娜、丁雅红、董建华。 I Q/BYL 08—2020 晶体硅太阳电池 1 范围 本标准规定了太阳电池的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于晶体硅太阳电池。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限 （AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6495.1 光伏器件 第1部分：光伏电流—电压特性的测量 GB/T 6495.3 光伏器件 第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 GB/T 6495.4 晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 GB/T 29195-2012 地面用晶体硅太阳电池总规范 GB 50034-2013 建筑照明设计标准 3 术语和定义 3.1 崩边 edge surface damage 电池边缘出现的单面局部缺损，平行于电池边缘方向为长，向内延伸方向为宽。 3.2 缺口 chip 电池边缘出现的贯穿型局部缺损，平行于电池边缘方向为长，向内延伸方向为宽。 沿边缘平缓过渡的钝形缺口俗称U型缺口。缺口形状呈现为向中心尖锐深入的形状，类似字母“V” 的称为V型缺口。 3.3 电池厚度 cellthickness 指电池中心点附近的厚度，包括铝背场但不包括正面栅线厚度。 3.4 背面铝珠、背面铝包 aluminum bump,aluminum bead 1 Q/BYL 08—2020 在印刷烧结工序后，形成的一种电池铝背场缺陷，尖锐高点俗称“背面铝珠”，非尖锐高点俗称“背 面铝包”。 3.5 弯曲度 bowing 电池正面朝上置于平面，电池片翘起部分的下表面与该平面的最大距离