Q_HDQ0003-2016高压晶闸管芯片.pdf

Q/HDQ 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司企业标准 Q/HDQ0003-2016 代替Q/HDQ 002-2010 高压晶闸管芯片 2016-08-01发布 2016-08-16 实施 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 发布 Q/HDQ 0003-2016 前 言 本标准由安徽省祁门县黄山电器有限责任公司提出。 本标准由安徽省祁门县黄山电器有限责任公司生产技术部、品控部负责起草。 本标准主要起草人：叶民强、王志亮。 I Q/HDQ 0003-2016 高压晶闸管芯片 1 范围 本标准规定了生产高压晶闸管芯片的技术要求，检验方法和规则，标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于高压晶闸管芯片产品。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单 （不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB 4024-1983 半导体器件反向阻断三级晶闸管的测试方法 GB 4940-1985 普通晶闸管 GB/T12962-2005 硅单晶 ZBK46012-1989 电力半导体器件用钼片 3 技术要求 3.1 主要原材料 3.1.1 硅单晶符合GB/T12962规定。 3.1.2 钼片符合ZBK46012规定。 3.2 额定值和特性参数 3.2.1 参数级别 3.2.1.1 额定断态重复峰值电压 （VDRM）和额定反向重复峰值电压 （VRRM）的级数应符合表1规定。 表1 额定断态峰值电压和额定反向重复峰值电压级数 （V） VDRM 1800 2000 2200 2600 2800 3000 VRRM 级 数 18 20 22 26 28 30 3.2.1.2 额定通态电流临界上升率 （di∕dt）的级别应符合表2规定。 表2 额定通态电流临界上升率的级别 （A∕µs） di∕dt 25 50 100 150 200 级 别 A B C D E 3.2.1.3 断态电压临界上升率 （di∕dt）的级别按表3规定。 表3 断态电压临界上升率的级别 （V∕µs） dv∕dt 200 500 800 1000 1200 1500 级 别 D E F G M N 3.2.2 额定值