掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响.docVIP

掺杂对铌酸锂晶体非挥发 全息存储性能的影响 3 付　博1 3 　张国权1 2 　刘祥明1 2 　申　岩 1 2 徐庆君4 　孔勇发1 　陈绍林1 　许京军 1 2 1 (南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室, 天津　300457 2 (南开大学物理科学学院光子学中心, 天津　300071 3 (中国工程物理研究院流体物理研究所, 绵阳　621900 4 (枣庄学院物理系, 枣庄　277160 (2007年7月4日收到;2007年9月21日收到修改稿 　　通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外2色记录时明显缩短, 最多的可减小3个数量级; 111 cm ΠJ. , . , 在掺镁、锌样品中, 深、浅能 , , 在铌酸锂晶体中形成的缺陷. 关键词:掺杂, 铌酸锂晶体, 非挥发, 全息存储 PACC :4240, 4265, 4280T 3国家自然科学基金(批准号10334010 , 教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCE, 天津市国际科技合作项目(批准号:06YFG HHZ 00500 , 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB307002,2006C B921703 和高等学校学科创新引智计划资助的课题. 通讯联系人. E 2mail :zhanggq @nankai.edu. cn 11引言 铌酸锂晶体具有优异的光学性质, 并且易于进 行大尺寸生长, 是一种重要的光学功能材料. 它在非线性光学、集成光学、准相位匹配、光波导等方面都有着广泛的应用前景, 多年来一直受到密切关注. 尤其是利用光折变效应, 在铌酸锂晶体中记录的全息光栅, 具有可重复擦写、波长和角度选择等特性, 使 其有望成为高密度体全息存储材料[1] . 但是, 这种可重复擦写特性在信息读出时也会对全息光栅进行破坏, 造成存储信息的缺失, 即信息的挥发性. 于是, 人 们采用了热固定[2, 3]、电固定[4, 5]、双波长存储[6,7] 、 双色存储[8—10] 等方法来克服这个缺点. 其中, 双色全息存储技术以其简单的全光学方法操作的特点而受到重视. 长期以来, 对铌酸锂晶体光折变性质的研究主要集中在可见和近红外波段, 这在很大程度上限制了铌酸锂的应用范围. 近年来, 人们对紫外波段的 光存储、光耦合材料的需求日益强烈, 许多研究组都相继开展了对紫外光折变效应的研究. 在20世纪 90年代,Jungen [11]和Laeri 等[12] 报道了名义纯同成分铌酸锂中紫外光折变效应主要是由扩散机理引起 的, 主导的电荷载流子是空穴. 2000年以来,Xu [13] , Qiao 等[14] 相继在掺镁、锌、铟的同成分铌酸锂中发 现了紫外光折变增强效应. Zhang 等[15] 在高掺镁(510m ol. % 铌酸锂晶体中发现了一个从近紫外到近红外的宽紫外光致吸收带. 这一吸收带的出现, 可 能是由于阳离子空位附近的O 2-俘获了一个被紫外 光激发的空穴, 形成浅能级中心O - 所致. Zhang 等人还利用这一紫外光致浅能级中心, 在掺镁铌酸锂 晶体中成功实现了紫外2近红外双色全息存储[16] . 由此可见, 铌酸锂晶体在紫外波段具有许多不同于可见光波段的物理性质, 对这些问题进行深入研究, 可以丰富人们对铌酸锂光学性质以及缺陷结构的认识, 从而为拓展其应用范围奠定基础. 本文以非相干紫外光为敏化光、63218nm 的红 第57卷第5期2008年5月100023290Π2008Π57(05 Π2946206 物　理　学　报 ACT A PHY SIC A SI NIC A V ol. 57,N o. 5,May ,2008 ν2008Chin. Phys. S oc. 光为记录光, 对同成分铌酸锂晶体的非挥发全息存储特性随掺杂种类、浓度的变化进行了系统的实验研究, 并对与实验现象相关的微观机理进行了分析和讨论. 21样品 　　实验中, 我们共使用了3个系列的样品, 分别是掺镁、掺锌和掺铟的同成分铌酸锂晶体, 样品的基本参量在表1中列出. 掺杂的同成分铌酸锂晶体都是采用C zochralski 方法从熔融体中生长而成的, 掺杂浓度都是指熔融体中掺杂物的摩尔浓度. 晶体的+c 方向都是由热释电效应判定的. 我们测量了全 部样品的吸收光谱, 结果表明, 在380—800nm 波长范围内样品的吸收系数均较小, 峰和吸收带; 然而, 段, 如图1所示, . 以比较, 吸收光谱. , (吸收系数α=15cm -1时对应的波长 紫移. 图1还给出了全部样品的OH -振动光谱. H + 以OH - 的形式存在于铌酸锂晶格中, 它对周围的离子环境非常敏感, 因此, 通常把它作为光谱探针来研究铌酸锂晶体的缺陷结构, 将