晶体硅太阳电池PN结结深测试方法 电化学电容电压（ECV）法.pdfVIP

ICS 27.160 F12 中华人民共和国国家标准 晶体硅太阳电池PN结结深测试方法电化 学电容电压（ECV）法 TestingmethodforthePNjunctiondepthofcrystallinesiliconsolarcell― Electrochemicalcapacityvoltage （ECV） 前  言 本标准按GB/T1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写规则》的规定编写。 I GB/TXXXXX—XXXX 晶体硅太阳电池PN结结深测试方法 电化学电容电压（ECV）法 1 范围 本标准规定了晶体硅太阳电池PN结结深测试方法，包含方法原理、仪器和设备、试剂和材料、试验 样品、测试步骤、结果计算和报告。 本标准适用于晶体硅太阳电池PN结结深的测量。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 IEC/TS61836：2016 太阳光伏能源系统 术语、定义和符号(Solarphotovoltaicenergysystems -Terms, definitionsandsymbols) 3 术语和定义 IEC/TS61836：2016界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 PN结结深 depthof PNjunction p型和n型交界处到电池最邻近表面的距离。 4 方法原理 选用合适的电解液与晶体硅接触形成势垒，并加以偏压进行电化学腐蚀，去除已电解的材料，同时 将测得的耗尽层电容通过公式（1）计算得出载流子浓度N。根据法拉第定律，对溶解电流进行积分，利 用公式（2）计算得到腐蚀深度W ；利用公式（3）计算得到耗尽层深度W 。根据腐蚀深度和耗尽层深度，r d 利用公式（4）得出载流子浓度对应的深度L。深度和载流子浓度形成PN结掺杂浓度剖面分布图(见图1)。 当测得载流子浓度接近基体掺杂浓度时，所对应的深度值即为PN结结深值。 1 GB/TXXXXX—XXXX 图1PN结掺杂浓度剖面分布图 载流子浓度按照公式（1）进行计算： 1 C3 N  (1) 2 e A dC dV 0 r 式中： 3 N ——载流子浓度,单位为个每立方厘米（个/cm ）； e ——电子电荷常数，单位为库伦（C）； ε——半导体材料的介电常数； r ε——真空介电常数； 0 2 A ——电解液/半导体接触的面积，单位为平方米（m ）； C ——电容,单位为法拉（F）； V ——偏压，单位为伏特（V）。 腐蚀深度按照公式（2）进行计算： M t