pn节学习总结心得体会半导体物理.ppt

* 第一章 p n结 1.1 p-n结的形成及平衡状态 1.2 直流特性 1.3 空间电荷区和势垒电容 1.4 交流小讯号特性 1.5 p-n结击穿 第一章 p-n结 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 p-n结,形成,平衡状态,杂质分布:突变结,缓变结; 空间电荷区:电场,电势,载流子浓度,空间电荷区宽度; 正向、反向p-n结; 正向阈值电压; 耗尽层近似; 势垒电容;变容二极管;扩散电容; p-n结击穿:定义,分类,碰撞电离率,倍增因子 p-n结电流成分转换; 正向I-V特性的讨论; 大注入效应; p-n结击穿:电击穿,热击穿,雪崩击穿,隧道击穿; 击穿电压影响因素及措施:球、柱、平面结,磨角 势垒高度; 正向电流公式; 边界载流子浓度; 实际扩散结势垒电容计算,查表; 交流小信号特性分析方法,特性方程; 雪崩击穿条件 第二章 双极型晶体管的直流特性 2.1 晶体管的基本结构和杂质分布 2.2 放大机理 2.3 直流I-V特性及电流增益 2.4 反向电流及击穿电压 2.5 直流特性曲线介绍 2.6 基极电阻 2.7 埃伯尔斯—莫尔模型 第二章1 BJT直流特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 基本结构,杂质分布; 发射结注入,基区输运,集电结收集; 电流放大系数,中间参量; 缓变基区自建电场; 反向电流及击穿电压 直流特性曲线; 基极电阻; E-M模型 放大原理; 载流子传输过程; 缓变基区自建电场对载流子输运及分布的影响; 放大系数影响因素及改善措施; 击穿电压及相互关系; 势垒穿通; 厄尔利效应 基区载流子(少子,电子)密度分布; 电流密度分布; 电流增益; 缓变基区晶体管发射效率,方块电阻; 基极电阻,等效功率法; 分贝 第三章 双极型晶体管的频率特性 3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 3.2 晶体管的交流特性分析 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 3.6 晶体管的高频功率增益 3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响 第三章 频率特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 交流电流放大系数与频率参数; 高频参数及等效电路; 高频下载流子输运及中间参数; 高频功率增益; 最佳高频功率增益; 高频优值 基区宽变效应; 高频下载流子输运及中间参数; 工作条件对频率参数的影响 交流特性分析; 高频参数及等效电路* 放大系数的频率关系; 高频优值 第四章 双极型晶体管的功率特性 4.1 集电极最大允许工作电流 4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响 4.3 有效基区扩展效应 4.4 发射极电流集边效应 4.5 发射极单位周长电流容量 4.6 晶体管最大耗散功率PCM 4.7 二次击穿和安全工作区 第四章 功率特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 集电极最大允许工作电流; 基区大注入自建电场; 发射极有效长度、宽度; 二次击穿; 安全工作区; 发射极镇流电阻 基区大注入对电流放大系数的影响; 基区电导调制效应; 有效基区扩展效应:均匀基区,缓变强场,缓变弱场; 发射极电流集边效应; 二次击穿:电流集中,雪崩注入 几个临界电流密度; 热阻; 耗散功率; 转换效率 第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性 5.1 p-n结二极管的开关特性 5.2 晶体管的开关作用 5.3 晶体管的开关过程和开关时间 5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 第五章 开关特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 开关时间,反向恢复时间,贮存时间,下降时间; 晶体管开关时间定义; 正向压降,饱和压降; 临界饱和基极电流; 过驱动电流; 饱和,截止状态; 电荷控制参数 开关作用; 电荷存储效应; 反向恢复过程; 缩短二极管开关时间措施; 晶体管开关作用,特点及要求; 开关过程; 电荷存储效应; 提高开关速度的措施 反向恢复时间; 贮存时间,下降时间; 电荷控制法; 电荷控制方程; 开关时间 第六章 结型场效应晶体管 6.1 基本工作原理 6.2 直流特性与低频小信号参数 6.3 交流特性 6.4 功率特性 6.5 结构举例 第七章 MOS场效应晶体管 7.1 基本工作原理和分类 7.2 阈值电压 7.3 电流—电压特性和直流特性曲线 7.4 击穿特性 7.5 频率特性 7.6 功率特性和功率MOSFET的结构 7.7 开关特性 7.8 温度特性 7.9 短沟通和窄沟道效应 第六章 JFETMESFET 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法