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电磁兼容原理和抑制技术（五） 区健昌 （续上期） 电磁屏蔽技术是抑制辐射干扰最有效的手段，所以是 电磁兼容抑制技术的重要组成部分之一。在进行电磁屏蔽 设计之前，要了解场论和近场、远场的定义，波阻抗和金 属屏蔽材料的阻抗，吸收损耗，反射损耗以及屏蔽效能的 计算等。 E E H 图 2.1 振荡偶极子的辐射场 在球坐标中的电场分量（ 、 ）和磁场分量（ ） θ r ф 可以通过求解振荡偶极子的麦克斯韦尔方程获得。若偶极 面向前传播的能量密度，因为这个坡印廷矢量 是能 子的长度D》λ，见图1.5, 则有： 够透入屏蔽体表面的分量（ 矢量是平行于屏蔽体表 (1) 面的分量它不透入屏蔽体的表面。）由上式可引导出近场和 远场的定义： (2) λ πr r λ π (1) 当( /2 )=1 、即 = /2 约1/6 波长）时，定义 为近场和远场之间的边界。 (3) r 》λ π (2) 当 /2 时、定义为远场，这时称作平面波辐射 式中： 场，自由空间的波阻抗Z0 =Eθ/H =377 Ω。 Z ：自由空间阻抗； r》λ π 0 (3) 当 /2 时、定义为近场。若辐射源是电场则电 I ：偶极子的短路电流； E Hφ Z λ πr 场波阻抗 θ/ = 0 ( /2 ) D ：偶极子长度； λ πr 》 》 Z 由于 /2 1，电场波阻抗 平面波波阻抗 ，是个 0 θ E r ： θ 与径向距离 的顶角； 高阻抗场。 λ f c λ r》λ π ：对应 = / 的波长； (4) 当 /2 近场时，若辐射源是磁场则磁场波阻抗 r ：从偶极子到观察点距离； E H φ Z λ πr λ πr 》 》 θ/ = 0/( /2 ) 。由于