战舰STM32F103ZET+DS18B20 使用实验教程.pdfVIP

第三十五章 DS18B20 数字温度传感器实验 STM32 虽然内部自带了温度传感器，但是因为芯片温升较大等问题，与实际温度差别较大， 所以，本章我们将向大家介绍如何通过 STM32 来读取外部数字温度传感器的温度，来得到较 为准确的环境温度。在本章中，我们将学习使用单总线技术，通过它来实现 STM32 和外部温 度传感器（DS18B20 ）的通信，并把从温度传感器得到的温度显示在TFTLCD 模块上。本章分 为如下几个部分： 35.1 DS18B20 简介 35.2 硬件设计 35.3 软件设计 35.4 下载验证 35.1 DS18B20 简介 DS18B20 是由DALLAS 半导体公司推出的一种的“一线总线”接口的温度传感器。与 传统的热敏电阻等测温元件相比，它是一种新型的体积小、适用电压宽、与微处理器接口简 单的数字化温度传感器。一线总线结构具有简洁且经济的特点，可使用户轻松地组建传感器 网络，从而为测量系统的构建引入全新概念，测量温度范围为-55~+125 ℃ ，精度为±0 ．5℃。 现场温度直接以“一线总线”的数字方式传输，大大提高了系统的抗干扰性。它能直接读出 被测温度，并且可根据实际要求通过简单的编程实现 9~l2 位的数字值读数方式。它工作在 3—5 ．5 V 的电压范围，采用多种封装形式，从而使系统设计灵活、方便，设定分辨率及用 户设定的报警温度存储在EEPROM 中，掉电后依然保存。其内部结构如图35.1.1 所示： 图35.1.1 DS18B20 内部结构图 ROM 中的64 位序列号是出厂前被光记好的，它可以看作是该DS18B20 的地址序列码， 每DS18B20 的64 位序列号均不相同。64 位ROM 的排列是：前8 位是产品家族码，接着 48 位是DS18B20 的序列号，最后8 位是前面56 位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5 +X4 +1) 。 ROM 作用是使每一个DS18B20 都各不相同，这样就可实现一根总线上挂接多个。 所有的单总线器件要求采用严格的信号时序，以保证数据的完整性。DS18B20 共有 6 种信号类型：复位脉冲、应答脉冲、写0、写1、读0 和读 1。所有这些信号，除了应答脉 冲以外，都由主机发出同步信号。并且发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。这里我 们简单介绍这几个信号的时序： 1）复位脉冲和应答脉冲 单总线上的所有通信都是以初始化序列开始。主机输出低电平，保持低电平时间至少 480 us，，以产生复位脉冲。接着主机释放总线，4.7K 的上拉电阻将单总线拉高，延时15～ 60 us，并进入接收模式(Rx) 。接着DS18B20 拉低总线60~240 us，以产生低电平应答脉冲， 若为低电平，再延时480 us 。 2 ）写时序 写时序包括写0 时序和写1 时序。所有写时序至少需要60us，且在2 次独立的写时序 之间至少需要1us 的恢复时间，两种写时序均起始于主机拉低总线。写1 时序：主机输出低 电平，延时2us，然后释放总线，延时60us 。写0 时序：主机输出低电平，延时60us，然后 释放总线，延时2us。 3 ）读时序 单总线器件仅在主机发出读时序时，才向主机传输数据，所以，在主机发出读数据命令 后，必须马上产生读时序，以便从机能够传输数据。所有读时序至少需要 60us，且在2 次 独立的读时序之间至少需要1us 的恢复时间。每个读时序都由主机发起，至少拉低总线1us 。 主机在读时序期间必须释放总线，并且在时序起始后的 15us 之内采样总线状态。典型的读 时序过程为：主机输出低电平延时2us，然后主机转入输入模式延时12us，然后读取单总线 当前的电平，然后延时50us 。 在了解了单总线时序之后，我们来看看DS18B20 的典型温度读取过程，DS18B20 的典 型温度读取过程为：复位发SKIP ROM 命令（0XCC ）发开始转换命令（0X44 ）延时 复位发送SKIP ROM 命令（0XCC ）发读存储器命令（0XBE ）连续读出两个字节 数据(即温度)结束。 DS18B20 的介绍就到这里，更详细的介绍，请大家参考DS18B20 的技术手册。 35.2 硬件设计 由于开发板上标准配置是没有DS18B20 这个传感器的，只有