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- 2021-06-09 发布于四川
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- | 2018-06-07 颁布
- | 2019-01-01 实施
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GB∕T_36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法.pdf
ICS31.200
L56
中华人 民共和 国国家标准
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GBT36477 2018
半导体集成电路
快闪存储器测试方法
—
Semiconductorinteratedcircuit
g
Measurin methodsforflashmemor
g y
2018-06-07发布 2019-01-01实施
国家市场监督管理总局
发 布
中国国家标准化管理委员会
/ —
GBT36477 2018
目 次
前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅰ
1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1
2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1
3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1
4 一般要求 ………………………………………………………………………………………………… 1
4.1 设备和条件 ………………………………………………………………………………………… 1
4.2 电参数测试向量 …………………………………………………………………………………… 1
5 详细要求 ………………………………………………………………………………………………… 2
5.1 输出高电平电压和输出低电平电压 ……………………………………………………………… 2
5.2 输入高电平电压和输入低电平电压 ……………………………………………………………… 3
5.3 输入高电平电流和输入低电平电流 ……………………………………………………………… 5
5.4 输出高电平电流和输出低电平电流 ……………………………………………………………… 5
5.5 输出高电阻状态电流 ……………………………………………………………………………… 6
5.6 电源电流和漏电流 ………………………………………………………………………………… 6
5.7 传输时间 …………………………………………………………………………………………… 7
5.8 建立时间和保持时间 ……………………………………………………………………………… 9
5.9 延迟时间…………………………………………………………………………………………… 11
( )………………………………………………………………………………
5.10 有效时间 适用时 11
5.11 存储器的特定时间 ……………………………………………………………………………… 11
存储单元 变 功能 ……………………………………………………………………………
5.12 0 1 11
存储单元 变 功能 ……………………………………………………………………………
5
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