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第三章 测验题（上）答案 一．填空 1、按杂质分布的不同，双极型晶体管可分为 (均匀基区晶体管 )和 (缓变基区晶体管 )两类。 2、双极型晶体管放大三要素是 (基区宽度远小于基区少子扩散长度 )、(发射区杂质浓度远大于基区杂质 浓度 )和(发射结正偏 , 集电结反偏 )。 3、共基极电流增益的物理含义是 (表示发射极电流中有多大比例可以达到集电极 ) ，共射极电流增益的物 理含义是 ( 表示发射极电流中传输到集电极的部分与传输过程中损失掉的部分的比值 )。 4、发射效率 γ反映了 (I 中有多大比例可以注入到基区 )，基区输运系数 β* 反映了 (注入到基区的 0 E 0 电流在基区输运过程中，有多大比例可以达到集电结 )。 5、提高双极型晶体管电流增益的措施有 (减小基区宽度 )、(增大发射区杂质浓度 )、(提高少子寿命 )、(提 高基区杂质分布梯度 )和 (改善表面状况 )等。 B 0 0 6、随着 N 的减小，晶体管的 ( β)、( γ)等参数会增大。 二．简答题 1、以ＮＰＮ管为例说明为什么双极型晶体管具有电流放大能力？ 答题要点： (1) 发射结为 N+ P 结, 流过其空间电荷区的电子电流与空穴电流比值大于 1，且只与器件结 构有关。 (2) 紧靠发射结的集电结在反偏状态下将发射结电子电流与空穴电流分开。 2、什么是基区杂质自建电场，它对载流子的输运有何影响？ 答题要点： (1) 基区杂质分布不均 → 多子分布不均 → 多子向发射结和集电结扩散 → 基区不再处于电中性 → 多子与电离杂质间形成电场 (2) 杂质自建电场使多子产生漂移运动，其漂移运动与扩散运动相互平衡，维持了多子的分 布。 杂质自建电场使少子产生漂移运动。在杂质浓度最高点至发射结的区间内，阻碍少子向 集电结的输运；在杂质浓度最高点至集电结的区间内，促进少子向集电结的输运。 三．画图题 1、画出 NPN 型晶体管（分立器件）的纵向结构图，并标明其纵向结构参数及其名称。 b e xje : 发射结结深 N xje xjc P WB WB0 xjc ：集电结结深 N WB0 : 基区宽度 N+ W : 有效基区宽度 B c 2、以均匀基区 PNP 晶体管为例，画出放大状态下发射区、基区和集电区内少子浓度分布示意图。并比 较这两种晶体管的基区中电子的输运方式。 少 少 B 子 子