二极管 电阻的与门和或门电路.pptVIP

5 ． 74 LS 系列——为低功耗肖特基系 列。 6 ． 74 AS 系列——为先进肖特基系列， 它是 74 S 系列的后继产品。 7 ． 74 ALS 系列——为先进低 功耗肖特基系列， 是 74LS 系列的后继产品。 七、 TTL 集成逻辑门电路系列简介 1 ． 74 系列——为 TTL 集成电路的早期产品，属中速 TTL 器件。 2 ． 74 L 系列——为低功耗 TTL 系列，又称 LTTL 系列。 3 ． 74 H 系列——为高速 TTL 系列。 4 ． 74 S 系列——为肖特基 TTL 系列，进一步提高了速度。如图示。 所以输出为低电平。 一、 NMOS 门电路 1 ． NMOS 非门 2.3 MOS 逻辑门电路 逻辑关系：（设两管的开启电压为 V T1 = V T2 =4 V ，且 g m 1 ＞＞ g m 2 ） （ 1 ）当输入 V i 为高电平 8 V 时， T 1 导通， T 2 也导通。因为 g m 1 ＞＞ g m 2 ， 所以两管的导通电阻 R DS1 ＜＜ R DS2 ，输出电压为： V V V T T D D 2 1 ( + 1 2 V ) i o V V V 1 D D 2 T ( + 1 2 V ) T i o V V D S 2 D S 1 R ( 1 0 0 ～ 2 0 0 k Ω ) D D ( + 1 2 V ) R ( 3 ～ 1 0 k Ω ) o （ 2 ）当输入 V i 为低电平 0 V 时， T 1 截止， T 2 导通。所以输出电压为 V OH = V DD - V T =8 V ，即输出为高电平。 所以电路实现了非逻辑。 2 ． NMOS 门电路 （ 1 ）与非门 （ 2 ）或非门 A L = A B V B 1 T D D 3 T ( + 1 2 V ) T 2 B V L = A + B A D D ( + 1 2 V ) 3 T 2 T T 1 1 ．逻辑关系： （设 V DD ＞（ V TN +| V TP | ），且 V TN =| V TP | ） （ 1 ）当 V i =0 V 时， T N 截止， T P 导通。输出 V O ≈ V DD 。 （ 2 ）当 V i = V DD 时， T N 导通， T P 截止，输出 V O ≈ 0 V 。 二、 CMOS 非门 CMOS 逻辑门电路是由 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET 互补而成。 V V V V V V DD T P T N DD T P T N (a) (b) i i o o （ 1 ）当 V i ＜ 2 V ， T N 截止， T P 导通，输出 V o ≈ V DD =10 V 。 （ 2 ）当 2 V ＜ V i ＜ 5 V ， T N 工作在饱和区， T P 工作在可 变电阻区。 （ 3 ）当 V i =5 V ，两管都工作在饱和区， V o = （ V DD /2 ） =5 V 。 （ 4 ）当 5 V ＜ V i ＜ 8 V ， T P 工作在饱和区， T N 工作在可变电阻区。 （ 5 ）当 V i ＞ 8 V ， T P 截止， T N 导通，输出 V o =0 V 。 可见： CMOS 门电路的阈值电压 V th = V DD /2 2 ．电压传输特性 ：（设 : V DD =10V ， V TN =| V TP |=2V ） 3 ．工作速度 由于 CMOS 非门电路工作时总有一个管子导通，所以当带电 容负载时，给电容充电和放电都比较快。 CMOS 非门的平 均传输延迟时间约为 10 ns 。 V V V V V V C C DD (a ) P T T N 导 通 截 止 DD P T N T 截 止 导 通 (b ) i =0 i =1 O =1 O =0 L L 一、二极管与门和或门电路 1 ．与门电路 第二章 逻辑门电路 2.1 基本逻辑门电路 L A B + V D D 3 k Ω （ + 5 V ） R C C 2 1 A B L = A · B 2 ．或门电路 A B L D D 1 2 R 3 k Ω A B L = A + B ≥ 1 二、三极管非门电路 + V A L T 1 2 3 R R b C C C （ + 5 V ） A L = A L = A A 1 1 二极管与门和或门电路的缺点： （ 1 ）在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值 的情况。 （ 2 ）负载能力差 0V 5V +V +V L 5V D D D D 3kΩ （ +5V ） R CC 2 1 1 CC R 2 （ +5V ） 0.7V 1.4V 3kΩ 解决办法： 将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。 L A B + V D D 3 k Ω