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半导体清洗设备 半导体湿法设备架构 湿法设备主要架构： ? 硬件架构方面：主要由清洗槽、伺服驱动系统、 层流净化系统、 电气控制系统、 药液自动补液系统、干燥装置及兆声波/恒温辅助系统等几部分组成 ? 清洗技术方面：采用改良RCA清洗工艺 及兆声波清洗技术、 二流体技术来达到显著的硅片表面清洗效果。 ? 设计加工方面：高端半导体湿法设备要求在1000级或以上的无尘室进行设备加工。 清洗槽 槽体设计 全溢流的循环槽体设计 药液补液系统 层流净化系统 温度控制系统 防漏槽体 控制系统 电气控制系统： 采用国外先进的PLC全自动控制，工艺配方功能； 设备部件 案例 EKC清洗设备 一、设备技术特点： 全自动上下料，自动补液， Bellows Pump 循环药液 管道加热控制，温控精度±3°C 可配备SUS316-EP、PVDF、PTFE、Qz等槽体 配备2套自动机械臂 可配备HEPA/ULPA过滤器 IPA干燥系统 二、主要指标： 对应6~8 inch晶片 药液管道对应过滤等级0.1μm 多种Recipe 设计 多级密码控制 电导率监测 手动式晶片6槽超声波清洗设备 一、设备特点： Si及化合物半导体对应（光Device其它） 全PVC制作 高效率的兆声波穿透率 RCA对应 二、主要指标： 对应Φ2"～Φ8" 6槽水平Layout方式 18MΩ超纯水对应 5～20L/min 案例 卧式石英炉管清洗机 设备参数 设备尺寸：L4.5m x W1.1m x H2.0m 炉管尺寸：Ф300 x max 3500(mm) （根据客户需求定制） 清洗步骤：放置炉管->注酸->浸泡-> 酸回收->DIW喷淋->排水-> 气枪吹干->取出炉管 主要特点：进口耐酸材质 外型美观 炉管正反转清洗 自/手动换液清洗 循环过滤系统 案例 12槽清洗设备（上海先进） 一、设备特点： 对应6种药液可能SPM、HF、SC-1、SC-2 二、主要指标： 对应Φ2"～Φ8" 附属过滤系统 10L/min DIW液体加热器 （50kw另购） 案例 药液供给系统 一、设备技术特点： Bellows Pump 供液 全PFA管路 药液箱配备脚轮 全塑料结构 二、主要指标： 对应HF、SC1、SC2、SPM、KOH、NaOH等多种工艺需求药液 可对应IPA、丙酮、酒精等多种有机药液 案例 王丽娟 北京中联科利技术股份有限公司 内部机密 www. c u c t e k. com 半导体湿法工艺及公司设备简介 半导体集成电路制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。湿法工艺作用是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学药液清除残留在晶圆上之微尘、金属离子、自然氧化层及有机物之杂质。 集成电路湿法工艺的目的 批处理清洗设备 单晶圆清洗设备 IC芯片主要工艺过程 集成电路工艺过程 硅片投入 表面预清洗 化学气相沉积 物理气相沉积 扩散/氧化 光刻 等离子刻蚀 离子注入 光阻去除 表面清洗（后道） 硅片入库 湿法设备在8寸IC芯片制造过程中的应用 湿法设备的应用 RCA清洗 H3PO4刻蚀 SPM清洗 CCSS系统 EKC 清洗 HF 清洗 SC1清洗 IC芯片清洗工艺分类 集成电路湿法工艺 前段灰化后清洗 35% -硫酸过氧化混合液清洗(SPM Clean) 2. 热氧化前预清洗 30% -标准清洗工艺(RCA Clean) 3. 后段等离子刻蚀后清洗 20% -有机物湿法剥离(EKC Clean) 其他清洗(CMP后和特殊清洗) 15% -表面清洗(SC1 Clean) 化学品符号 名称 DIW 去离子水 H2SO4 硫酸 H2O2