CMOS模拟集成电路设计 复习题优秀.ppt

CMOS 模拟集成电路设计 复 习 题 一 op amp Ch. 9 # 1 北大微电子：模拟集成电路原理 1. 以 N 型 MOSFET 为例，画出相应的 I-V 特性曲线，即 I DS 与 V DS ,V GS 的关系，并标出 MOSFET 的线性区和饱和区 范围，给出各区域成立的条件 op amp Ch. 9 # 2 北大微电子：模拟集成电路原理 2. 画出一个典型 P 阱 CMOS 工艺反向器的垂直剖面示意图， 要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地 电位 op amp Ch. 9 # 3 北大微电子：模拟集成电路原理 3. 什么是 MOSFET 小信号跨导，给出饱和区 MOSFET 小信 号跨导的三种表达形式 op amp Ch. 9 # 4 北大微电子：模拟集成电路原理 4. 什么是 MOSFET 的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源 电压的关系 op amp Ch. 9 # 5 北大微电子：模拟集成电路原理 1. 解释什么是体效应？ 在初步分析 MOSFET 的时候我们假设衬底 和源级是接到地的。而实际上当 VB<VS 时，器件仍能正常工作，但是随着 VSB 的 增加，阈值电压 VTH 会随之增加，这种 体电位（相对于源）的变化影响阈值电 压的效应称为体效应，也称为“背栅效 应” 2. 解释什么是沟道长度调制效应？ 当沟道发生夹断后，如果 VDS 继续增大 ，有效沟道长度 L' 会随之减小，导致漏源 电流 Id 的大小略有上升。这一效应成为 “沟道 …… ” op amp Ch. 9 # 6 北大微电子：模拟集成电路原理 4. 图 (a) 是什么结构？图 (b) 忽略了沟道调制效应和体效应。 如果体效应不能忽略，请画出 Vin 和 V out 的关系曲线，并作 出解释。 op amp Ch. 9 # 7 北大微电子：模拟集成电路原理 op amp Ch. 9 # 8 北大微电子：模拟集成电路原理 5. 图中 MOS 管的作用是什么？应该工作在什么工作区？ op amp Ch. 9 # 9 北大微电子：模拟集成电路原理 即 NMOS 开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关 相对的， PMOS 开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关 op amp Ch. 9 # 10 北大微电子：模拟集成电路原理 op amp Ch. 9 # 11 北大微电子：模拟集成电路原理 6. 计算电路的小信号增益 op amp Ch. 9 # 12 北大微电子：模拟集成电路原理