NCE SJ III及Super Trench MOSFET技术详细介绍.pdf

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NCE SJ III及Super Trench MOSFET 技术介绍技术介绍 2016.6月巡回培训会 新洁能公司基本情况 以先进功率器件与模块研发为强项 ,依托 “产学研”创新团队 ,集设计、生产、销售与售 后技服为一体 ,为DMOS客户提供一流的产品与服务 ; 研发 生产 销售 售后 强大的研发团队 可靠芯片代工厂 三大销售中心 售后服务 晶圆代工 心 心 中 中 究 究 研 研 合 合 联 联 件 件 器 器 率 率 功 功 功率器件 学 学 大 大 南 南 东 东 研发部 封装代工 无锡 FAE 功率模块 研发部研发部 - 能 洁 新 锡 无 芯片测试 IQC & OQC 实验室 自建模块产线 深圳 失效分析 实验室 质量体系部 整机系统 验证实验室 共计36人 ,其中博士2人 , 后续技术需 硕士13人。 香港 求 表征功率器件的指标 一个良好的设计要求Q越高越好 DMOS导通电阻构成 两大基础理论  电导调制原理 在大注入条件下,出现电导调制效应,非平衡载流子导电, 此时导通电阻将大大 减 .(典型应用案例 IGBT) 改善电流能力(导通电阻), 缺点开关速度不高.  场相互作用原理 利用引入电荷或改变电荷分布, 出现横向场和纵向场相互作用, 使得某一方向 上的电场达到最优分布. (典型应用案例,SJ-MOSFET ,SGT-MOSFET ) 提高耐压(在相同的导通电阻情况下) ,缺点是工艺相对复杂 IGBT SJ-MOSFET SGT-MOSFET 电导调制原理器件 场相互作用原理器件 SJ-MOSFET SJ-MOSFET的概念  1993年,电子科技大学陈星弼院士提出使用纵向PN结制造高压功率器件的超结 (Super

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