GB/T 31225-2014椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法.pdf

ICS17.040.01 J04 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT31225 2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅 薄层厚度的方法 TestmethodforthethicknessofsiliconoxideonSisubstrateb ellisometer y p 2014-09-30发布 2015-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT31225 2014 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 本标准由中国科学院提出。 ( / ) 。 本标准由全国纳米技术标准化技术委员会 SACTC279归口 : 、 。 本标准起草单位 上海交通大学 纳米技术及应用国家工程研究中心 : 、 、 、 、 、 。 本标准主要起草人 金承钰 李威 梁齐 路庆华 何丹农 张冰 Ⅰ / — GBT31225 2014 引 言 、 , 现有椭圆偏振术测量薄膜样品厚度的普适 通用仪器多为变角度变波长的光谱型椭圆偏振仪 相对 , , 于定波长定角度的消光法椭偏测量 可以获得更多的椭偏信息用于模型拟合 以获取精准的薄膜厚度结 ; , , 、 果 此外 由于可溯源标准物质为硅表面二氧化硅薄层的原因 本标准规定了使用连续变波长 变角度的 光谱型椭圆偏振仪测量硅表面二氧化硅薄层厚度的方法。 Ⅱ / — GBT31225 2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅 薄层厚度的方法 1 范围 、 本标准给出了使用连续变波长 变角度的光谱型椭圆偏