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商世广西安邮电大学微电子学系半导体器件试题库常用单位时硅本征载流子的浓度为在室温电荷的电量一半导体物理基础部分一名词解释题杂质补偿半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用通常称为杂质的补偿作用非平衡载流子半导体处于非平衡态时附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子迁移率载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志即单位电场下的漂移速度晶向晶面二填空题根据半导体材料内部原子排列的有序程度可将固体材料分为多晶和三种根据杂质原子
商世广西安邮电大学 微电子学系 半导体器件试题库 常用单位：3 10/cm10）时，硅本征载流子的浓度为 n = 1.5×在室温（T = 300Ki22-19s?scm/V?cm/V =500 μ=1350 电荷的电量q= 1.6×10μC pn-12 ε F/m =8.854×100 一、半导体物理基础部分（一）名词解释题
杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。
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