新型环栅可重构场效应晶体管（RFET）及其电路应用.pdfVIP

华东师范大学硕士论文 摘要 随着超大规模集成电路工艺飞速发展到 5nm 节点以下，GAA(Gate-All- Around)器件有望代替FinFET 器件成为 5nm 节点及以下的主流器件。摩尔定律 的发展伴随着巨大的经济上的投入，工艺技术的壁垒与经济的制约，导致摩尔定 律在未来十年可能到达其物理极限。后摩尔时代新型器件呼之欲出，可重构场效 应晶体管(RFET)凭借结构上的优势，通过不同的电压配置控制沟道内载流子极 性，实现器件N 型状态和P 型状态的轮换，因此增加了单个器件的功能。借助 RFET 的灵活性，在传统电子信息处理方式的基础之上，可以用更少数目的器件 实现功能更加复杂的电路。然而，RFET 器件作为双极性器件面临着关态电流大， 开态电流小，亚阈值摆幅大等问题。本文提出了一种新型带漏端拓展区结构的非 对称型可重构场效应晶体管(UCED-RFET) ，该器件可依靠结构上的优势极大的 提升器件的开态电流。此外，本文还深入研究了UCED-RFET 在基本逻辑电路单 元的应用，并设计了新型SRAM 结构单元，能够有效的解决传统SRAM 单元的 读写矛盾，提升了器件使用的灵活性。本论文的主要研究工作与成果如下： 基于现有的RFET 器件结构和传统肖特基器件的优化思路，本论文设计了一 种非对型的可重构晶体管，借助 TCAD 数值仿真工具，设计了该器件的工艺制 备流程，电掺杂的特性使得UCED-RFET 在产业化的实现成为可能。相比传统双 侧墙结构RFET(UCESD-RFET) ，在保证关态电流不变的前提下，UCED-RFET 器 件开态电流有近两个数量级的提升，开关比高达109 以上。本论文完成了新型器 件的直流特性与交流特性仿真，结果表现出，在变温环境下，与TFET 器件相比， UCED-RFET 展现出更好的热稳定性。此外，本文同样研究了Spacer 材料、栅极 介质材料对新型器件性能的影响，并研究了UCED-RFET 在器件缩放时的电学特 性变化。 基于UCED-RFET 器件，本文探究了其在反相器、环形振荡器等多种基本逻 辑电路上的表现。研究发现 UCED-RFET 器件可有效减小约 50%的极性栅极输 入电容，显著降低了逻辑电路的逻辑努力，提升驱动能力。此外，利用 UCED- RFET 双向饱和电流不相等的特性，设计出的基于UCED-RFET 的SRAM 单元可 提升约37.3%的静态噪声容限。 I 华东师范大学硕士论文 本论文的相关研究成果发表在微电子器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices 上，对于优化RFET 器件设计及其应用等方面有重要的参考意 义。 本论文受以下项目资助： 国家科技重大专项资助项目(2016Z 国家自然基金资助项目61704056) 上海扬帆计划资助项目(YF1404700) 上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800) 关键词：RFET ，漏电流，开态电流，TCAD ，UCED-RFET ，SRAM II 华东师范大学硕士论文 Abstract With the rapid development of ultra-large-scale integrated circuit technology, Gate- All-Around transistors are expected to replace FinFET and become mainstream devices at 5nm nodes and below. The development of Moores Law is accompanied by huge economic investment, technological barriers and economic constraints, wh