压阻及压电传感器.ppt

第五章压阻及压电传感器 压阻效应的概述 压阻传感器材料 m-金属应变计 单晶硅 多晶硅 压阻传感器的应用 压电敏感的概述 压电材料的特性 石英 PZT PVDF 其他材料 ■应用  压阻效应的概述-压阻效应的起源和表达式 压阻效应是 Lord kelvin于1856年首发现的,它 是一种广泛应用的传感器原理。这种效应为机械 能和电能之间提供了一种简单直接的能量与信号 转换机制。今天它已经运用在MEMS领域的很多 传感器应用中,包括加速度计、压力传感器、生 物传感器等  压阻效应的概述-压阻敏感原理 当压力作用在单晶硅上时,硅晶体的电阻 发生显著变化的效应称为压阻效应。 压被电阻 在外力的作用下,结 构中的薄膜或梁上产 生应力分布,应力的 存在使得压敏电阻的 玻璃 阻值发生变化  压阻变化的具体过程 电阻的基本关系式 P=ol 电阻率的变化率 A P 兀O 电阻的变化率 dr a+(1+21)=(xE+1+2)=Ka 其中, K=E+1+2 π为压阻系数  1)金属电阻的改变主要由材料几何尺寸 的变化引起,因此0起要作用 2)半导体电阻的改变主要由材料受力后电 阻率的变化引起,因此起主要作用; 3)半导体的灵敏度因子比金属的高得多 一般在70-170之间。