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模拟电子技术期中试卷一一选择题每题分共分在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于掺杂工艺温度杂质浓度晶体缺陷在某放大电路中晶体管三个电极的电流如图所示已量出由此可知对应电极是发射基极集电不定晶体三极管用来放大时应使发射结处于偏置集电结处于偏置正向反向反向正向反向反向不定如果在电路中测出某管三个电极对地电位分别则该管工作在为区放大饱和截止击穿型晶体三极管处于放大状态时各级电位关系正确的是在图示电路中设对交流信号的影响可以忽略不计当输入和则二者的相位关系为的正弦电压信号后用示波器观察相差相同相差相差
模拟电子技术期中试卷（一）
一、选择题。 （每题3分，共36分）
1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于_______。
A.掺杂工艺 B.温度 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出
I??1.2mA,I??0.02mA,I?1.22mA由此可知对应电极①是______。 312A.发射 B.基极 C.集电 D.不定
3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于_______偏置,集电结处于_______偏置.
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