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基本概念题:
第一章 半导体电子状态
1.1 半导体
通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。
1.2能带
晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。
1.2能带论是半导体物理的理论基础,试简要说明能带论所采用的理论方法。
答:
能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体的势场分布,进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。
单电子近似:
将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。
绝热近似:
近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。
1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法
答案:
克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型,如下图所示
V EFm Fs 零偏压 负偏压 S0rs qNA
正偏压
克龙尼克—潘纳模型的势场分布
X
进而确定利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式,而且某些能量区间能空间上是周期函数,关系。E-k由此得到的能量分布在k波函数并给出从而利用量子力学。,另一些区间没有电子能级(被称为禁带)级是准连续的(被称为允带) 的方法解释了能带现象,因此该模型具有重要的物理意义。
导带与价带1.2
1.3有效质量它概括了周期性势场对载流子运有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。E-k动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的.
关系决定。
本征半导体1.4 既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。
空穴1.4设想价带中的每个空电子状态带有一个空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。这样就引进了一个假想的大小相等的有效质量,正的基本电荷,并赋予其与电子符号相反、 粒子,称其为空穴。它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。 1.4空穴是如何引入的,其导电的实质是什么? 答:设想价带中的每个空电子状态带有一个空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。这样就引进了一个假想的正的基本电荷,并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量, 粒子,称其为空穴。所以空穴导电的实质这样引入的空穴,其产生的电流正好等于能带中其它电子的电流。 是能带中其它电子的导电作用,而事实上这种粒子是不存在的。
半导体的回旋共振现象是怎样发生的(以n型半导体为例) 1.5
答案:对首先将半导体置于匀强磁场中。型半导体中大多数导带电子位于导带底附近,一般n它们所以无论这些电子的热运动速度如何,于特定的能谷而言,这些电子的有效质量相近,如若频率与电子的当用电磁波辐照该半导体时,在磁场作用下做回旋运动的频率近似相等。通过调节电磁波的频率可观测到共则半导体对电磁波的吸收非常显著,回旋运动频率相等, 振吸收峰。这就是回旋共振的机理。
简要说明回旋共振现象是如何发生的。 1.5
半导体样品置于均匀恒定磁场,晶体中电子在磁场作用下运动 r
r?夹角v与B rrr f??qv?B
?B?f?qvBsinqv ? r,运动轨迹为螺旋线,圆周半径为? 回旋频率为c 2?r/a?vv?r,向心加速度 ??c2** vm?qBr/ ?m?v/rqvB? ??n?n *?m/ ??qBnc
当晶体受到电磁波辐射时,? 在频率为 时便观测到共振吸收现象。c
1.6 直接带隙材料
如果晶体材料的导带底和价带顶在k空间处于相同的位置,则本征跃迁属直接跃迁,这样的材料即是所谓的直接带隙材料。
1.6 间接带隙材料
如果半导体的导带底与价带顶在k空间中处于不同位置,则价带顶的电子吸收能量刚好达到导带底时准动量还需要相应的变化
第二章 半导体杂质和缺陷能级
2.1 施主杂质受主杂质
某种杂质取代半导体晶格原子后,在和周围原子形成饱和键结构时,若尚有一多余价电子,且该电子受杂质束缚很弱、电离能很小,所以该杂质极易提供导电电子,因此称这种杂质为施主杂质;反之,在形成饱和键时缺少一个电子,则该杂质极易接受一个价带中的电子、提供导电空穴,因此称其为受主杂质。
2.1 替位式杂质
杂质原子进入半导体硅以后,杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。
形成替
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