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GaN (氮化镓)功放比GaAs(砷化镓)功放更优越?
Is GaN BUC better than GaAs BUC?
China Satellite Show
October 2018
Copyright © Norsat International Inc.
GaN Characteristics 特性 :
1. 高功率密度，高输出功率
Higher power density resulting in higher power output
2. 高工作电压- 通常为20-28V
Operates at higher voltages – usually 20-28V
3. 电流用量较少，电路板体积可减少
Less current pass through the device, smaller PCB size
4. 测量P1dB 较困难，通常用Psat 和/或 Plinear为指标
Softer compression, difficult to measure P1dB, usually rated
as Psat and/or Plinear
5. 增益随温度变化比较大
More gain variation over temperature
Copyright © Norsat International Inc. 2
GaN vs GaAs测量Measurement
越接近Psat, 越容易出现非线性效果
Closer to Psat , more non-linear effects
Copyright © Norsat International Inc. 3
功放的操作Operating a BUC
• 尽可能驱动功放靠近 Psat 但同时保持系统的相邻频道功率比
(ACPR)和线性要求
Driving the BUC as close as possible to PSat while
maintaining the ACPR and linearity requirements for system
• 操作工作在 Psat 以下
Operate below PSat
• 操作時要达工业规限的干扰标准
Operate in accordance to industrial standard of interference
Copyright © Norsat International Inc. 4
工业标准Industrial Standard of Interference
• 相邻频道功率比 (ACPR) 或再生频谱(SR)
Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) or Spectral Regrowth(SR)
* Intelsat (IESS 308) -26dBc
* MIL-STD-188-164 -30dBc
Copyright © Norsat International Inc. 5
工业标准Industrial Standard of Interference
• Intelsat (IESS 308)
-26dBc
• MIL-STD-188-164
-3
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