模拟集成电路复习.pdfVIP

学 海 无 涯 1、研究模拟集成电路的重要性：（1）首先，MOSFET 的特征尺寸越来越小，本征速度越来 越快；（2）SOC 芯片发展的需求。 2、模拟设计困难的原因：（1）模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多 种因素间进行折衷，而数字电路只需在速度和功耗之间折衷；（2）模拟电路对噪声、串 扰和其它干扰比数字电路要敏感得多；（3）器件的二级效应对模拟电路的影响比数字电 路要严重得多；（4）高性能模拟电路的设计很少能自动完成，而许多数字电路都是自动 综合和布局的。 3、鲁棒性就是系统的健壮性。它是在异常和危险情况下系统生存的关键。所谓“鲁棒性”， 是指控制系统在一定的参数摄动下，维持某些性能的特性。 4、版图设计过程：设计规则检查（DRC）、电气规则检查（ERC）、一致性校验（LVS）、RC 分 布参数提取 5、MOS 管正常工作的基本条件是:所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）pn 结必须反偏 6、沟道为夹断条件： V =V -V ≥V  V ≤V -V GD GS DS TH DS GS TH 7、 （1）截止区：Id=0；VgsVth （2）线性区的NMOSFET （0 VDS VGS－VT） W 1 2 I =  C [(V - V )V - V ] D n ox GS TH DS DS L 2 （3）饱和区的 MOSFET （VDS ≥ VGS－VT） nCox W 2 ID (VGS −VTH ) 2 L 8、栅极跨导 gm：是表征栅-源电压对于输出漏极电流控制作用强弱的一个重要的参数， 它反映了器件的小信号放大性能，希望越大越好。 I D g m = VDS=const V GS W = μC (V -V ) n ox GS TH L W g = 2μC I m n ox D L 2I D = V - V GS TH 9、体效应：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同， 当 VB 变得更负时，Vth 增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。 μC W 2 I = n ox (V - V ) (1 + λV ) D GS TH DS 10、 2L 11、亚阈值导电性：当 Vgs 下降到低于 Vth 时器件突然关断。实际上，Vgs==Vth 时，一个 “弱”的强反型仍然存在，并有一些源漏电流。当 VgsVth，Id 也并非是无限小，而是与 Vgs 呈现指数关系，这种效应称为 “亚阈值导电”。 1 学 海 无 涯 12、形成沟道时的 V 称为阈值电压记为 V G T Qdep VTH = ΦMS + 2ΦF + Cox 13、MOS 低频小