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模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1．在 P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。 2．在 N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。 3．当 PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。 4 ．当 PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。 5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。 U U T 6．根据理论分析， PN结的伏安特性为 I I S (e 1) , 其中 I S 被称为（ 反向饱和 ） 电流，在室温下 U T 约等于（ 26mV ）。 7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与 JFET 的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源 极 ）与之对应。 8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（ 电压取样 ）负反 馈， 为稳定输出电流，应采 用（ 电流取样 ）负反 馈。 9．在负反 馈 放大器中，为提高输入电阻，应采用（ 串联－电压求和 ）负反 馈， 为降低输出 电阻，应采用（ 电压取样 ）负反 馈。 10. 放大器 电路中引入 负反 馈主要是为了改善放大器（ 的电性能 ）。 11．在 BJT 放大电路的三种组态中， （共集电极 ）组态输入电阻最大， 输出电阻最小。 （ 共 射 ）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。 12. 在 BJT 放大电路的三种组态中， （ 共集电极 ）组态的电压放大倍数小于 1，（共基 ） 组态的电流放大倍数小于 1。 A u 13．差分放大电路的共模抑制比 KCMR＝（ 20 lg ），通常希望差分放大电路的共模抑 AC 制比越（ 大 ）越好。 14．从三极管内部制造工艺看， 主要有两大特点， 一是发射区 （ 高掺杂 ），二是基区很 （薄 ） 并掺杂浓度（ 最低 ）。 15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数 Ad 将（ 不变 ），而共 模放大倍数 A 将（ 减小 ），共模抑制比将（ 增大 ）。 c 16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（ 阻容 ），（ 变压器 ）和（ 直接 ）耦合 三种。 17．直接耦合放大器的最突出的缺点是（ 零点漂移 ）。 18，集成运放主要由（ 输入级 ），（ 中间放大级 ），（ 输出级 ）和（ 偏置电路 ）4 部 分组成。 19． BJT 三极管的直流偏置电路通常有（ 固定基流 ）电路和（ 分压式 ）电路两种。