10第1章10_303直流特性方程.pdf

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2020-08-18 发布于广东
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知识点名称半导体器件物理(1) 第1章 pn结知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性三、理想pn结直流特性定量分析 1. 非平衡少子分布（以n区为例）方程与边界条件： 2 d p (x)  p (x) n  n =0 (x  x ) 2 2 n dx L p p (x=x )=p exp(eV /kT ) n n n0 a p (x  +)=p n n0 eV x -x 解得n区非平衡少子空穴分布为：p (x)=p [exp( a )-1]exp( n ) (x x ) n n0 n kT L p 半导体器件物理(I) 第1章 pn结知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性三、理想pn结直流特性定量分析 2. 势垒区边界处少子扩散电流由n区非平衡少子空穴分布： eV x -x p (x)=p [exp( a )-1]exp( n ) (x x ) n n0 n kT L p 解得n区少子空穴扩散电流密度 J (x ) p n  ( ) eD p d p x p n0 eV ( )=- n = [exp( a )-1] J x eD p n p dx x=xn L kT p 半导体器件物理(I) 第1章 pn结知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性三、理想pn结直流特性定量分析 2. 势垒区边界处少子