全国高等教育自学考试电子技术基础样本[整理].pdfVIP

全国高等教育自学考试电子技术基础样本[整理].pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
资料内容仅供您学习参考,如有不当或者侵权,请联系改正或者删除。 全国 4 月高等教育自学考试 电子技术基础 ( 一) 试题 课程代码 : 02234 一、 单项选择题 ( 本大题共 16 小题 , 每小题 2 分, 共 32 分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的 , 请将其代码填写在题后的括号内。错 选、 多选或未选均无分。 1.要得到 P 型杂质半导体 , 在本征半导体硅或锗的晶体中 , 应掺入少量的 ( ) A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2 .理想二极管构成的电路如题 2 图, 其输出电压 u0 为( ) A.-6V B.0V C.+3V D.+9V 3.某锗三极管测得其管脚电位如题 3 图所示 , 则可判定该管处在 ( ) A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.无法确定伏态 4 .场效应管的转移特性如题 4 图所示 , 则该管为 ( ) A.P沟道增强型 FET B.P沟道耗尽型 FET C.N沟道增强型 FET D.N沟遭耗尽型 FEI 资料内容仅供您学习参考,如有不当或者侵权,请联系改正或者删除。 5.三种组态的放大电路中 , 共基极放大电路的特点是 ( ) A.u0 与 ui 反相能放大电流 B.u0 与 ui 同相能放大电压 C.u 与 u 同相能放大电流 D.u 与 u 反相能放大功率 0 i 0 i 6 .已知某基本共射放大电路的 I =1mA, U =6V, 管子的饱和压降 U =1V, R =R= CQ CEQ ces c L 4KΩ, 则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为 ( ) A.1V B.2V C.5V D.6V 7.在双端输入单端输出的差动放大电路中 , 差模电压放大倍数 Ad2=50, 共模电压放大倍数 Ac =0.5, 若 输入电压 uil =80mV, ui2 =60mV, 则输出电压 uo2 为( ) A.-1.035V B.-0.965V C.+0.965V D.+1.035V 8. 题 8 图所示电路 , 集成运放的最大输出电压为± 12V, 下列说法正确的是 ( ) A.ui =1V, u 0 =-12V B.ui =2V, u 0 =-12V C.ui =4V, u 0 =-12V D.u =5V, u =+12V i 0 9.单相桥式整流电路变压器次级电压为 15V(有效值 ), 则每个整流二极管所承受的最大反向电压为 ( ) A.15V

文档评论(0)

肖四妹学教育 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档