国盛证券--电子行业周报：数据中心超预期,“芯”需求共振!.PDF

证券研究报告 | 行业周报 2019 年10 月27 日 电子 数据中心超预期，“芯”需求共振！ 本周英特尔和海力士最新一季度财报均超预期，需求侧增长是超预期的共 增持 （维持） 同因素！数据中心回暖明显，引起需求共振，拉动英特尔的CPU、海力士 的DRAM，推动“芯”拐点来临！移动端（预计明年高端手机DRAM 平均 增长至 5GB，NAND 增长至 100GB 以上）持续扩容和渗透，是存储拐点 行业走势 的另一个关键催化，明年5G 手机在单机容量和换机需求两重维度下将带 动半导体需求侧的进一步超预期！ 电子 沪深300 80% 我们认为需求端被贸易战、宏观经济下行影响所推迟和压抑之后，本轮 64% “芯”拐点重要特点将是需求的复苏比往往更加强劲，数据中心、移动端、 48% AIOT 、汽车电子将持续会有新的爆点。 32% 16% 数据中心回暖是英特尔财报超预期的关键词！英特尔在2019 年 10 月25 0% 日发布季度财报，提高了全年收入和利润率指引。19Q3数据中心增长4% ， -16% 预期 19Q4 增长6~8%，数据中心持续回暖成为英特尔财报超预期的关键 2018-10 2019-02 2019-06 2019-10 因素。 海力士财报关键词是存储拐点！DRAM 价格单季度上涨，NAND 跌幅收 作者 窄，下游库存逐渐回到健康水位，需求显著回暖及供给端的收缩，共同推 进存储拐点。存储需求侧方面，移动端存储扩容（预计明年高端手机 DRAM 分析师 郑震湘 平均增长至 5GB，NAND 增长至 100GB 以上），数据中心采购回暖推动 执业证书编号：S0680518120002 DRAM 增加，PC 端SSD 快速渗透，共同带动存储需求端的迅速增长。存 邮箱：zhengzhenxiang@ 储供给侧方面，海力士继续降低 DRAM 和 NAND 的资本开支，并将M10 相关研究 部分DRAM 产能向CIS 转移。 1、《电子：从台积电看“芯”拐点的明确》2019-10-20 智能手机消耗35%的DRAM Bit，消耗40%的NAND Bit。因此，移 2、《电子：消费电子捷报频传，半导体接力兑现》2019- 动端扩容的幅度和持续性是存储需求增长的长期动力。2019 年将迎来智 10-13 能手机创新大年，5G 促进移动端存储进一步提升，移动端需求将迎来出 3、《电子：FPC 系列 之 智能手机篇》2019-10-08 货量和单机容量的双重提升！预计明年高端手机DRAM 平均增长至5GB， NAND 增长至 100GB 以上！ 区块链分布式记账方式需要消耗较多资源，对于算力、存储乃至电力等资 源要求较高，将带动晶圆、存储、GPU、mos 等综合需求。 建议重点关注： 【半导体】存储：兆易创新、北京君正；光学芯片：韦尔 股份；射频：三安光电、卓胜微；模拟：圣邦股份；设计：紫光国微、汇 顶科技、博通集成、景嘉微、中颖电子；IDM：闻泰科技、士兰微、扬杰 科技；设备：长川科技、北方华创、精测电子、至纯科技、万业企业；材 料：兴森科技、中环股份、石英股份；封测：长电科技、华天科技、晶方 科技、通富微电；【5G 之消费电子】：立讯精密、精研科技、领益智造、 歌尔股份、蓝思科技、电连技术、苏大维格、智动力、信维通信、硕贝德、 大族激光、共达电