微电子器件工工艺实例.pptVIP

1.N阱CMOS工艺 2.P阱CMOS工艺 3. BiCMOS工艺 4.5微米双极集成电路工艺 5.大功率管工艺流程 1.N阱CMOS工艺 初始氡化 N阱形 氮化硅淀积 光刻 硅淀积开后电压调整场氧I 光刻8 光刻4 P$G淀积 光刻6 蒸铝刻针2 相应的等效 CMOS反相器 DD 等效电路图 端 P沟 N沟 Yout S端 初始氧化 初始氧化:通 过氧化,生长 层SiO,膜, 用作杂质扩散 掩蔽膜 膜厚350nm 初始氧化 光刻1 用第一块掩膜版 ,经曝光、等离 子刻蚀,形成N 阱窗口 N窗口 初始氧化 光刻1 N形成 在N:O2=9:1的 气氛中退火和 驱进。温度 1150℃C,时间 60分钟。N阱深 度为5~6微米。 同时生长一层 约200mm的氧化 司國 初始氧化 光刻1 阱形成 氮化砖淀积 首先生长缓冲SO2 薄层,厚度600nm Si ,日的是减少淀积 的氮化硅与硅衬底 之间的应力。 其次低压CVD氮化 硅,用于掩蔽氧化 厚度100nm 初始氡化 N阱形成 氮化硅淀积 光刻 确定NMOS有源区: 利用第二块掩膜版 经曝光、等离子刻蚀 ,保留NMOS有源区 和N阱区的氮化硅 去掉场区氮化硅, NMOS场区硼注入, 剂量1*1013cm2,能 量120keV,防止场 区下硅表面反型,产 生寄生沟道。 P-Si 光刻2 场氧I 利用氮化硅掩蔽氧 化的功能,在