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微电子工艺基础 课程总结 西安电子科技大学微电子学院 戴显英 2005.6.27 绪论(了解) 微电子技术发展历史 微电子技术发展的规律与 趋势 Moore定律 =1965年Inte公司的创始人之 Gordon e. Moore预言集成电路产 业的发展规律 集成电路的集成度每三年 增长四倍, 特征尺寸每三年缩小倍 等比例缩小 ( Scaling-down)定律 参数 CE(恒场)律Cv恒压律QCE(准恒场律 器件尺寸L,W,t等1 1/K 1/ 电源电压 A/K 掺杂浓度 阈值电压 k 电流 1/K 负载电容 1/K 电场强度 门延迟时间 1/K 功耗 功耗密度 功耗延迟积 栅电容 面积 I/k 1/k 1/k 集成密度 微电子术的 三个发晨方向 微电子故术的三个发晨方向 21世纪硅微电子技术的三个主要发展方向 特征尺寸继续等比例缩小 集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC) 微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业 和新的学科,例如MEMS、DNA芯片等 三、器件与集成电路制造工艺 简介 1、硅外延平面晶体管制造工艺(了解) (3DK3-NPN型开关管) 2、N结隔离双极型集成电路制造工艺(了解) 3、集成电路的特有工艺(熟悉) ①隔离扩散 ②埋层扩散 第一章衬底制备 §1.1衬底材料(了解) 、衬底材料的类型 1.元素半导体Si、Ge、C(金刚石) 2.化