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半导体激光器 输出特性的影响因素  半导体激光器的输出特性 波长 光功率 光 激光束的空间分布  波长 半导体激光器的发射波长是由导带的电子 跃迁到价带时所释放出的能量决定的,这个能 量近似等于禁带宽度Eg(eV) 导带 hf=Eg f 禁带 Eg f(Hz)和入(um)分别为发射光的频率和波长 价带 C=3×108m/s,h=6.628×10-34J·s,|eV=1.60×10-19J 1.24 Eg(ev)  决定波长的主要因素 半导体材料 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg,因而 有不同的发射波长入 GaAlAs-GaAs材料适用于0.85μm波段 In GaAsP-InP材料适用于13~1.55μm波段 温度 温度的升高会使半导体的禁带宽度变小,导 致波长变大。  光功率 半导体激光器的输出光功率 P th (-/t) 为激光器的驱动电流 Pth为激光器的阈值功率 th为激光器的阈值电流 nd为外微分量子效率 hf为光子能量 e为电子电荷  th Pth:拐点纵坐标,很小,可忽略 e:常数,不影响曲线形状 拐点横坐标 nd:决定曲线线型部分的斜率 由此可知,输出光功率主要取决于半导体激光器发光特性 驱动电流l、阈值电流hh以及外微分 量子效率ηd。除此之外,温度也是 影响光功率