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半导体物理
绪 论
一、什么是半导体
导体 半导体 绝缘体
3 9 9
电导率 ρ 10 10 ~ 10 10 cm
此外,半导体还有以下重要特性
1、 温度可以显著改变半导体导电能力
例如:纯硅( Si ) 若温度从 30 C 变为 20 C 时, ρ 增大一倍
2 、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力
例如:若有 100 万硅掺入 1 个杂质( P . Be)此时纯度 99.9999% ,室温( 27 C 300K )时,电阻率
由 214000 Ω 降至 0.2 Ω
3 、 光照可以明显改变半导体的导电能力
例如:淀积在绝缘体基片上(衬底)上的硫化镉( CdS)薄膜,无光照时电阻(暗电阻)约为几十欧
姆,光照时电阻约为几十千欧姆。
另外,磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。
综上:
半导体是一类性质可受光、热、磁、电,微量杂质等作用而改变其性质的材料。
二、课程内容
本课程主要解决外界光、热、磁、电,微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。
预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构
晶体:常用半导体材料 Si Ge GaAs 等都是晶体
固体
非晶体:非晶硅(太阳能电池主要材料)
6
晶体的基本性质:固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子(离子)在较大范围里( 10 m)按
一定方式规则排列——称为长程有序。
单晶:主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。
多晶:由子晶粒杂乱无章的排列而成。
非晶体:没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序,仅在较小范围(几个原子距)存在结构有
序——短程有序。
§1 化学键和晶体结构
1、 原子的负电性
化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。
电离能:失去一个价电子所需的能量。
亲和能:最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。 ( ⅡA 族和氧除外 )
原子负电性 = (亲和能+电离能) 0.18 (Li 定义为 1)
负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。
价电子向负电性大的原子转移
ⅠA 到Ⅶ A,负电性增大,非金属性增强
1
同族元素从上到下,负电性减弱,金属性增强
2、 化学键的类型和晶体结构的规律性
ⅰ)离子晶体: (NaCl) 由正负离子静电引力形成的结合力叫离子键,由离子键结合成的晶体叫离子晶
体(极性警惕)
离子晶体的结构特点:任何一个离子的最近邻必是带相反电荷的离子。
配位数:晶体中的一个离子(原子)最近邻的原子数或离子数,反映了原子排列的紧密程度。配
位数越大,原子排列越紧密。
NaCl 的配位数为 6——两个面心立方相互套构而成(套构结构)
NaCl 的导电性: Na 的价电子转移到 Cl 的外层轨道上形成 Na 和 Cl ,最外层都形成 8 电子稳
定结构,因此电子被紧束缚在
晶胞:是晶体结构的基本单元,它充分反映了整个晶体的结构特点,既反映了周期,又反映了
各种对称性,即整块晶体是由许多这样的基本单元重复排列而成的。
面心立方:正方体的顶角和面心上各有
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