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- 2020-08-31 发布于江苏
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第一章 绪论1
第一章 绪论
1.1GaN HEMT 1
1.1GaN HEMT 1
基 器件的研究背景
基 器件的研究背景
1.2 2
1.2 国内外相关研究状况及存在问题2
国内外相关研究状况及存在问题
1.2.1 2
1.2.1 国内外的研究状况2
国内外的研究状况
1.2.2 6
1.2.2 目前存在的问题6
目前存在的问题
1.2.2.1 6
1.2.2.1短沟道效应6
短沟道效应
1.2.2.2 7
1.2.2.2 工艺问题7
工艺问题
1.2.2.3 GaN HEMT 8
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