GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展.pdfVIP

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  • 2020-08-31 发布于江苏
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GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展.pdf

GaN GaN基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展 基材料特性、所制器件、器件研究及其研究发展 1.引言: 1.引言: (1) GaN 是极稳定、坚硬的高熔点材料,熔点约为 1700℃,GaN 具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ (1) GaN 是极稳定、坚硬的高熔点材料,熔点约为 1700℃,GaN 具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ 族化合物中是最高的 (0.5 或 0

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