半导体的物理学第七版刘恩科编著.pptVIP

z理想半导体: 1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格 结构 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁 带——电子能量只能处在允带中的能级上,禁带 中无能级。由本征激发提供载流子 ↓本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格 结构,无任何杂质和缺陷。  本征半导体(nnsi能带: 没有 禁带 能级 允带 E 禁带  实际半导体( extrinsic): 1晶体中晶格位置上的原子在平衡位置振动 2晶格结构并非完整无缺,存在缺陷 点缺陷 空位 缺陷的出现:线缺陷 位错 面缺陷 层错 3存在与晶体基质原子不同的杂质原子 无意掺杂—源材料和工艺 杂质的出现 有意掺杂 有目的控 料性质  杂质和缺陷对能带结构的影响: 感周期性势场受到破坏 区在半导体的禁带中引入能级 区影响半导体的电、光性质。 杂质能级  本章主要内容 1硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及杂 质能级,了解浅能级杂质电离能的计算,了解杂 质补偿作用。 2||-V族化合物主要是GaAs中的杂质能级。 3了解缺陷、位错能级。  §21Si、Ge晶体中的杂质能级 2.1.1替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质 κ杂质原子的大小与晶体原子相似 κⅢ、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 z间隙式杂质 杂质原子