半导体器件稳稳压二极管.pptVIP

稳压二极管□ 大连理工大学 物理与光电工程学院 张贺秋  二极管分类 ■硅二极管和锗二极管 阳极 D阴极 1、导通电压 I/mA 2、导通后 3、反向漏电流 4、击穿电压 5、热稳定性 BR-100-50 040812Uv 死区 Ge  二极管分类 金属幺 正践 负楼 点接触二极管 外克 N理片 小功率整流、高频检波等 面接触二极管 低频大功率整流 正极引线 正极引线 铝合金小球 P型眭 Si0 N型硅 金锦合金N型硅 负极引线 负极引线  稳压二极管——齐纳二极管 zener diode-D a以阳 工作原理 利用二极管反向击穿特性实现稳压。  二极管反向击穿机制 1、热不稳定性; 反向大电压 反向电流一→产生焦耳热 器件温度升高 不可恢复的,器件完全损坏。  二极管反向击穿机制 2、齐纳击穿(隧穿击穿) 热平衡 E。P E F +V|4E  二极管反向击穿机制 3、雪崩击穿 F结 P F结的雪崩击穿示意图 V6E, /g  主要参数: ImA 在规定的稳压管反 向工作电流lz下, 稳定电压U 所对应的反向工作 电压。 最大耗散功率: 最小稳定电nmUy 稳定电流l zmax = uzlzm 最大稳定电流 Zma Z 动态电阻:R