2.2.1 光电发射的基本理论.pdf

2.2 光电阴极 2.2.1 光电发射的基本理论 光电发射的基本理论 光电子发射的基本理论 像管中实现辐射图像的光电转换环节的是光电阴极。在光电阴极上产 生的外光电效应往往使用下面的三阶段理论来解释。 即，整个光电发射的物理过程分为三步： ① 光电发射体内的电子被入射光子激发到高能态； ②受激电子向表面运动，在迁移的过程中因碰撞而损失部分能量； ③到达表面的受激电子克服表面电子亲和势而逸出。 光电子发射的基本理论 第1阶段：电子受激跃迁情况分析 ◆初态能级是多种多样的(光电子能量的分散)! ◆来自价带上的电子； ◆来自杂质能级上的电子以及自由电子。  其中，有些受激电子的激发态可能处于真空能级之下，-- 这些电子称为导带中的非平衡电子，只对光电导有贡献。 ❖ 光子辐射、光电子发射均为具有泊松分布的随机过程；－光电发 射所产生的光电子统计特性是吻合双随机泊松分布。 光电子发射的基本理论 第2阶段： 电子向表面迁移情况分析 ◼ 受激电子向真空界面迁移的几率随光吸收因子及有效逸出深度的 增加而提高。 对于半导体材料，其光吸收系数取决于其能带结构。 通常，当入射光子的能量大于禁带宽度时，其本征吸收系数很高， 因此有效的光吸收深度约为10-6~10-5cm。 所以，通常情况下大部分受激电子产生在10~100nm距离内。这 个距离称之为半导体逸出深度。 ◼ 在迁移过程中，受激电子会受到半导体内晶格、电子、各种缺陷 的散射而损失部分能量！ 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） 光电子发射的基本理论 第3阶段： 电子逸出表面过程的分析 ◼ 到达表面的电子能量必须大于半导体材料的光 电逸出功Φ （不同于热电子发射逸出功Φ）： 0 ◼T=0K时，电子占据的最高能级是价带顶， 它的光电逸出功是指从价带顶把电子激发到 导带并使之逸出表面的最低能量，也就是价 带顶到真空能级之间的能量差。其数值等于 禁带宽度E 与电子亲和势E 之和。 g A 光电子发射的基本理论 第3阶段： 电子逸出表面过程的分析 ◼ 到达表面的电子能量必须大于半导体材料的光 电逸出功Φ （不同于热电子发射逸出功Φ）： 0 ◼T=0K时，电子占据的最高能级是价带顶， 它的光电逸出功是指从价带顶把电子激发到 导带并使之逸出表面的最低能量，也就是价 带顶到真空能级之间的能量差。其数值等于  E +E 0 g A 禁带宽度E 与电子亲和势E 之和。 g A hc  ◼ 红限：由光电逸出功定义，可以确定本征半导 0 E +E g A 体在绝对零度时的长波阈 （红限）为λ 。 0 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教