2.6 半导体PN结的电容特性（28-29）.pdf

半导体PN结的电容特性 28/65 五、PN结的电容 PN结的电容效应：PN结偏置电压的变化将导致PN结空间电 荷区的电荷数量及其两侧载流子的数目均发生变化，现象与 电容相似。按照产生机理，有势垒电容和扩散电容。 势垒电容CB ：当外加电压不同时，耗尽层的电荷量随外加 电压而增多或减少，与电容的充放电过程相同。耗尽层宽 窄变化所等效的电容为势垒电容。 注意：PN结为反偏时较大 V 29/65 扩散电容CD 外加电压不同情况下，P 、N 区少子浓度的分布将发生 变化，扩散区内电荷的积累 与释放过程与电容充放电过 程相同，这种电容等效为扩 散电容。 •注意：势垒电容和扩散电 容均是非线性电容,并同时 存在。外加电压变化缓慢时 可以忽略，但是变化较快时 不容忽略。 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺）