4.6 增强型MOS场效应管工作原理（19-26）.pdf

19/73 栅极G→基极B （2 ）栅源电压UGS对导电沟道的控制作用 源极S→发射极E 1)当uGS 0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN 漏极D→集电极C 结，无论uDS之间加上电压不会在D、S间形成电 衬底B （Body) 流i ,即i 0 。 uDS D D 2)当0uGSUGS,th时，虽然在P型衬底 uGS 表面形成一层耗尽层，但负离子不能 iD 导电。 +++ + + + +