2.8 半导体PN结的光电效应（31）.pdf

半导体PN结的光电效应 31/66 七、PN结的光电效应 PN结用导线连接成回路时，载流子面临PN结势垒的阻 挡，在回路中不产生电流。当有光照射PN结材料上时，若光 子能量大于半导体的禁带宽度，则在PN结的耗尽区、P区、 N区内产生光生的电子-空穴对，耗尽区内的载流子在内建场 的作用下电子迅速移向N区，空穴移向P区，在回路内容形成 光电流，而P、N区内产生的光子无内建电场的作用只进行自 由的扩散运动，多数因复合而消失，对光电流基本没有贡献。 注意：为了充分利用在PN R I D D L P 结各区内产生的光生载流 U 子，PN结需加适当的反向 D E D 偏压。