详细版扩散工艺的化学原理.pptVIP

热扩散原理 杂质原子由浓度高的地方向浓度低的地方进行扩散。 比如在水里滴一滴墨汁，墨汁会在水中的进行扩散。 杂质源 杂质向硅片中进行扩散 掺杂阻挡层 0.0 * 扩散工艺: 高温下，将杂质原子向硅、锗晶体内部扩散。 目的：制造P-N 结，制造集成电路的扩散电阻、埋层和隔离。 III A族元素杂质：硼 （B） 扩散到硅晶体内部 V A 族元素杂质：磷（P）、锑（Sb） 0.0 * §6-1 半导体的杂质类型 半导体硅、锗等都是第 IV 族元素。 掺入第 V 族元素（如磷，五个价电子）。杂质电离施放电子，为施主杂质，或 N 型杂质。 0.0 * 掺入第III 族元素（如硼，三个价电子）。杂质电离接受电子，为受主杂质，或P 型杂质。 施主型杂质：第 V A 族元素， 如：磷、砷、锑、铋； 受主型杂质：第 III A 族元素， 如：硼、铝、镓、铟。 0.0 * 如何选择扩散源： 1）半导体材料的导电类型需要； 2）选择在硅中具有适当的扩散速度的杂质； 3 ）选择纯度高、毒性小的扩散源。 常用的扩散杂质有硼（B）， 磷（P）、锑（Sb）、砷（As）。 扩散杂质源（含有这些杂质原子的某些物质）有