电力电子器件特性和驱动实验一.docxVIP

实用文案 实用文案 实验三 常用电力电子器件的特性和驱动实验 、实验目的 掌握常用电力电子器件的工作特性。 掌握常用器件对触发MOSFET、信号的要求。 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。 掌握由自关断器件构成的 PWM 直流斩波电路原理与方法。 、预习内容 了解 SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT 的结构和工作原理。 了解 SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT 有哪些主要参数。 了解 SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT 的静态和动态特性。 阅读实验指导书关于 GTO、GTR、MOSFET、IGBT的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件 序号 型号 备注 1 DJK01电源控制屏 主电源控制屏(已介绍) 2 DJK06给定及实验器件 包含二极管、开关，正、负 15伏直流给定等 3 DJK07新器件特性试验 含SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT五种 器件 4 DJK09单相调压与可调负载 5 DJK12功率器件驱动电路实验箱 6 万用表 1 )设备及列表 7 件 标准 ■ II 2)挂 图片 实用文案 实用文案 标准 标准 *牢辛牛甲耳电用宜盟陌 四、实验电路原理图 图X-1特性实验原理电路图 1、 X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图 MOSFET、GTR、 MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图 图 X-3 GTO、 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图 X-3所示: IGBT四种驱动实验的流程框图如图X-4 IGBT四种驱动实验的流程框图如图 X-4 3、GTO、MOSFET、GTR、 图X-4 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图 SCR、GTO、 SCR、 GTO、MOSFET、 GTR、IGBT五种器件特性的测试 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 驱动电路的研究。 六、 注意事项 (1 )注意示波器使用的共地问题。 每种器件的实验开始前，必须先加上器件的控制电压 ，然后再加主回路的电源；实 验结束时，必须先切断主回路电源， 然后再切断控制电源。 驱动实验中，连接驱动电路时必须注意各器件不同的接地方式。 不同的器件驱动电路需接 不同的控制电压，接线时应注意正确选择。 七、 实验方法与步骤 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种器件特性的测试 图X— 5实验接线框图 a）部分实验图片如下:DJK09 电 阻。将两个90 Q电阻串连 且旋在最 大DJK09 整流输出Uo=40VDJK09 调 压器输 出，开始 时旋在最 小。J6^ a）部分实验图片如下: DJK09 电 阻。将两 个90 Q 电阻串连 且旋在最 大 DJK09 整 流输出 Uo=40V DJK09 调 压器输 出，开始 时旋在最 小。 J6^ 出给定 Ug,分别 接器件的 3端, （地） 2端 J DJK01上直 流电压表 c）负载电阻R,用DJK09中的两个90 Q串连。 b）直流电压表V,直流电流表A，用DJK01电源屏上的直流数字表。 d）DJK07中各器件图片及接线标号图如下： 2）调整直流整流电压输出 Uo=40V . 接线完毕，并检查无误后（ 注意调压器输出开始为最小），将DJKO1的电源钥匙拧向开, 按启动按钮。将单相调压器输出由小到大逐步增加，使整流输出 Uo=40V . 3）各种器件的伏安特性测试 a） 将DJK06的给定电位器RP1逆时针旋转到底，S1拨向“正给定”，S2拨向“给定”， 打开DJK06上的电源开关，DJK06为器件提供触发电压信号。 b） 逐步右旋RP1，使给定电压从零开始调节，直至器件触发导通。记录 Ug从小到大的 变化过程中Id、Uv的值，从而可测得器件的 V/A 特性。（实验最大可通过电流为 1.3A ）。 c）将各种器件的Ug、Id、Uv的值填入下表中： SCR Ug Id Uv GTO Ug Id Uv MOSFET Ug Id Uv IGBT Ug Id Uv Ug  GTR Id Uv 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 驱动电路的研究。 1）关闭DJK01总电源，按图X — 6的框图接线.（注意：实验接线一个个 进行） 图X — 6 GTO、MOSFET、GTR、IGBT 驱动电路实验 a）直流励磁电源和灯泡负载图片 b） 直流电压和电流表同上。 c） 四种电力电子器件均在 DJK07挂箱上。 实用文案 实用文案 标准 标准 实用文案 实用文案 1标准 1 标准 FWM t * ￡GTO部分TlMl■: iLk%GTR部分ftk*l本实验板电 源开关PWM部分MOSFET部分GTR里幌严电賠車參