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第十一讲 光刻胶的研究进展  内容 ·光刻胶:正胶与反胶 光刻胶的涂敷和显影 非光学光刻技术 深亚微米光刻的新光刻胶工艺技术 直写电子束光刻系统  IC制造中用的光刻胶通常有三种成分,树脂或 基体材料、感光化合物(PAC: photoactive compound)、以及可控制光刻胶机械性能(例 如集体黏滞性)并使其保持液体状态的溶剂。 在正性光刻胶中,PAC在曝光前作为一种抑制 剂,降低光刻胶在显影溶液中的溶解速度。在 正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生,使 抑制剂变成了感光剂,从而增加了胶的溶解速 率 理想情况下,抑制剂应完全阻止光刻胶的任何 溶解,而增强剂则产生一个无限大的溶解速率  光刻胶使用性能指标:灵敏度和分辨率 灵敏度是指发生上述化学变化所需的光 能量(通常用mJ/cm2来度量) ·光刻胶的灵敏度越高,曝光过程越快, 因此对一个给定的曝光强度,所需的曝 光时间将缩短 分辨率是指能在光刻胶上再现的最小特 征尺寸 分辨率对曝光设备和光刻胶自身的工艺 有很强的依赖性  芳香族环烃和长链聚合物 芳香族环烃由六个排列成平面六角结构 的碳原子组成 ·苯,每一个碳原子都与一个氢原子相连 碳原子通过与两个与其紧相邻的碳原子 之间的共价键获得两个电子,与氢结合 获得一个电子,每个碳原子的最后一个 未配对电子参与