第9章电工电子技术课件.ppt

9.3.3 三极管的电流分配与放大原理 1 ．三极管实现电流放大作用的条件 （ 1 ）内部结构条件 ① 发射区很小，但掺杂浓度高。 ② 基区最薄且掺杂浓度最小（比发射区小 2 ～ 3 个数量 级）。 ③ 集电结面积最大，且集电区的掺杂浓度小于发射区的 掺杂浓度。 （ 2 ）外部条件 外部条件是要保证外加电源的极性使发射结处于正向偏 置状态，使集电结处于反向偏置状态。 2 ．实验说明 下面通过一个实验来说明三极管各电流之间的关系，实验 电路如下图所示。改变可变电阻 R B ，则基极电流 I B 、集电极电 流 I C 和发射极电流 I E 都会发生变化。测量结果如下表所示。 由此实验及测量结果可得出如下结论： （ 1 ）各极电流的关系满足： I E ＝ I B ＋ I C ，符合基尔霍夫 电流定律。 （ 2 ） I C 和 I E 比 I B 大得多。 （ 3 ）从上表各列数据中求得 I C 和 I B 的变化量，加以比较。 例如，选第 4 列和第 5 列的数据，可得 C B 1.990 0.980 1.010 50.5 0.040 0.020 0.020 I I ? ? ? ? ? ? ? 这说明，基极电流的少量变化可以引起集电极电流的较 大变化，这就是三极管的电流放大作用。 3 ．三极管内部载流子的运动 三极管内部载流子的运动情况如下图所示。 （ 1 ）发射区向基区扩散电子 由于发射结加正偏电压，因此 发射结两侧多子的扩散运动大于少 子的漂移运动，发射区的多子源源 不断地越过发射结到达基区，同时， 基区的多子源源不断地越过发射结 到达发射区，由电子电流和空穴电 流共同形成了发射极电流 I E 。 因基区很薄且掺杂浓度最小， 空穴电流 I EP 很小，可以忽略不计， 所以，发射极电流 I E ≈ I EN 。 （ 2 ）电子在基区的扩散与复合 由发射区扩散到基区的电子浓度，在靠近发射结处的浓 度要高于靠近集电结处的浓度，因此，在基区中形成了电子 的浓度差，这样，电子会向集电结继续扩散。在扩散过程中， 绝大部分电子扩散到集电结边沿，很少部分电子与基区的多 子空穴复合，复合掉的空穴由基区电源补充，从而形成基极 电流 I B 的主要部分 I BN 。 扩散到集电结的电子与复合掉的电子的比例决定了三极 管的电流放大能力，三极管的电流控制就发生在这一过程。 （ 3 ）电子被集电区收集 集电结反偏，使得其内电场很强。这个内电场阻止集电 区电子向基区扩散，而对基区扩散过来的电子有很强的吸引 力，故从基区扩散来的电子在强电场的作用下将迅速漂移越 过集电结进入集电区，形成集电极电流 I C 的主要部分 I CN 。 同时，集电结加反向电压使基区的少子电子和集电区的 少子空穴通过集电结形成反向饱和电流 I CBO 。它的数值很小， 但受温度影响很大，会造成管子的工作性能不稳定。所以， 在制造管子时，应尽量设法减小 I CBO 。 4 ．电流分配关系 通过以上分析可知三极管各极电流的关系为： C CN CBO B BN CBO E CN BN C B I I I I I I I I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 实验表明，在发射结正偏，集电结反偏的条件下，三极 管基极与集电极上的电流不是孤立的，它们之间存在一定的 比例关系。这一比例关系是由管子的结构特点所决定的，管 子做好之后这一比例关系就基本确定了。 为了反映 I CN 和 I BN 之间的比例关系，定义共发射极直流电 流放大系数，即 CN C CBO C BN B CBO B I I I I I I I I ? ? ? ? ? ? 上式可变换为： C B CBO B CEO (1 ) I I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? 上式中， I CEO 称为穿透电流。由于 I CBO 很小， I CEO 也很小， 分析时可忽略不计，所以今后电路分析中常用的关系式为： C B E B (1 ) I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 9.3.4 三极管的特性曲线 1 ．输入特性曲线 输入特性曲线是指当集 — 射极电压 U CE 为常数时，输入 电路（基极电路）中基极电流 I B 与基 — 射极电压 U BE 之间的关 系曲线 I B ＝ f （ U BE ），如下图所示。 U CE ＝ 0 时，集电极与发射极短接，三极管相当于两个二 极管并联， U BE 即为加在并联二极管上的正向电压，故三极管 的输入特性曲线与二极管伏安特性曲线的正向特性相似。 U CE ≥1V 时，曲线右移，因为此时集电结已反向偏置，内 电场足够大，可以把从发射区进入基区的电子中的绝大部分拉 入集电区。因此，在相同的 U BE 下， U CE ≥1V 时的基极电流