分享一个比较经典地MOS管驱动电路.pdf

问题提出： 现在的 MOS驱动，有几个特别的需求， 1，低压应用 当使用 5V 电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的 be 有 0.7V 左右的压降，导致实际最终加在 gate 上的电压只有 4.3V 。这时候，我们选用标 称 gate 电压 4.5V 的 MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用 3V 或者其他低压电源的场合。 2，宽电压应用 输入电压并不是一个固定值， 它会随着时间或者其他因素而变动。 这个变动导致 PWM电路提供给 MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让 MOS管在高 gate 电压下安全，很多 MOS管内置了稳压管强行限制 gate 电压的幅值。 在这种情况下， 当提供的驱动电压超过稳压管的电压， 就会引起较 大的静态功耗。 同时，如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压，就会出现输入电压比较高 的时候， MOS管工作良好，而输入电压降低的时候 gate 电压不足，引起导通不 够彻底，从而增加功耗。 3，双电压应用 在一些控制电路中， 逻辑部分使用典型的 5V 或者 3.3V 数字电压， 而功率部分使 用 12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。 这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的 MOS 管，同时高压侧的 MOS管也同样会面对 1 和 2 中提到的问题。 在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的 MOS驱动 IC， 似乎也没有包含 gate 电压限制的结构。 于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下： 图 1 用于 NMOS的驱动电路 图 2 用于 PMOS的驱动电路 这里我只针对 NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl 和 Vh 分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是 Vl 不应该超 过 Vh。 Q1和 Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管 Q3和 Q4不会同时导通。 R2和 R3提供了 PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在 PWM信号 波形比较陡直的位置。 Q3和 Q4用来提供驱动电流， 由于导通的时候， Q3和 Q4相对 Vh 和 GND最低都只 有一个 Vce 的压降，这个压降通常只有 0.3V 左右，大大低于 0.7V 的 Vce。 R5和 R6是反馈电阻，用于对 gate 电压进行采样，采样后的电压通过 Q5对 Q1 和 Q2 的基极产生一个强烈的负反馈，从而把 gate 电压限制在一个有限的数值。 这个数值可以通过 R5和 R6来调节。 最后，R1提供了对 Q3和 Q4的基极电流限制， R4提供了对 MOS管的 gate 电流限 制，也就是 Q3和 Q4 的 Ice 的限制。必要的时候可以在 R4上面并联加速电容。 这个电路提供了如下的特性： 1，用低端电压和 PWM驱动高端 MOS管。 2，用小幅度的 PWM信号驱动高 gate 电压需求的 MOS管。 3，gate 电压的峰值限制 4 ，输入和输出的电流限制 5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。 6，PWM信号反相。 NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。