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微制造与微机械电子系统讨论;划痕法
压入法
滚动接触疲劳法
基体拉伸法
剥离法;1、划痕法
工作原理有声发射和摩擦力两种:用120°的锥形金刚石压头在薄膜表面缓慢划动,并连续不断地增加载荷,当载荷增加到一定数值时,薄膜开始破裂,此时传感器会同时收到破裂时的声发射信号和摩擦力变化数据,传到主机进行处理, 这时的载荷即为临界载荷,用Lc表示,通常就用Lc来表征薄膜的结合力。;1、划痕法;2、压入法
压入法是以准静态的加载方式,采用圆锥形压头缓慢压向样品,当载荷较低时,薄膜与基体一同变形,此时压痕完好。达一定载荷时,薄膜与基体协同变形的条件被破坏,膜基体系发生薄膜开裂、剥落,此时的临界载荷反映膜基结合强度。压入法测量膜基结合力需要精确测定薄膜开裂或剥落时的临界载荷。;图中HF–1~HF–4(HF 是德语中结合强度的
缩写)表示有足够的结合强度,而HF–5~HF–6 表示结合强度不够接触疲劳法测定界面疲劳强度;3、滚动接触疲劳法
薄膜的剥落是一个长时间高周次过程,其失效过程属疲劳失效。采用高周次界面疲劳强度作为膜基结合强度的判据,以膜基界面处的切应力幅表征膜基界面疲劳强度。
试验中试样静止不动,钢球在试样表面作纯滚动,改变接触应力,得到薄膜界面处的剪切应力幅与循环周次之间的曲线,得到剪切应力幅,即表征膜基结合力。
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;4、基体拉伸法
作用力平行于膜基结合界面,界面结合强度定义为涂层在基体上保持不脱落的最大剪切应力。由于薄膜和基体的弹性模量不同,在界面上将产生剪切应力,如果界面上用以维持涂层-基体应变一致的剪切应力超过膜层与基体的结合强度,就发生脱粘现象,由此测得膜基结合力。
;5、剥离法
使用特制的刮剥刀具,以与刮剥相类似的加载方式将薄膜沿薄膜/基体界面从基底上剥离下来,由刮剥过程测得的水平刮剥抗力曲线,可得到单位宽度刮剥刀刃进入薄膜/基底界面前后的切向单位面积耗能(或做功)之差,由此可导出薄膜的剥离过程本身所消耗的能量即薄膜剥离能,并用此能量作为薄膜/基底间结合强度的量度。
;5、剥离法;其他测量方法还有:
超声波法、弯曲法、胶带剥离法、热学法、核化???、电容法及X射线衍射法等。;硅基薄膜膜基之间的结合强度是影响薄膜性能的重要指标, 在很大程度上决定了该薄膜应用的可能性和可靠性。增强硅基薄膜的膜基结合力的主要方法有:;1、对硅片做预处理。
沉积薄膜前对硅片表面做抛光处理,并用超声波清洗以减少硅片表面杂质。离子沉积时可通过施加负偏压溅射清洗硅片表面,进一步减少表面杂质。;2、合理选择薄膜材料。
随着薄膜成分的不同,膜基结合力也会表现出一定的差别,这是由于不同原子间的亲和性不同,导致薄膜沉积后扩散深度不同,也就表现出膜基结合力的不同。或者也可以在沉积材料中加入某些特殊元素,加入合适的中间层都可以提高膜基结合力。;3、适当提高薄膜沉积温度。
薄膜之所以能附着在基体上,是由范德瓦尔力、扩散附着、机械锁合、静电引力、化学键力等综合作用的结果。基体温度的提高,有利于薄膜和基体之间原子的相互扩散,有利于界面化学反应的加速,有利于形成扩散附着和化学键附着力,从而使得结合力有所增加。
;4、改变其他薄膜沉积工艺参数。
薄膜沉积功率、工作气压、靶材比例以及及沉积时间等因素对结合力的影响都存在一峰值,优化这些工艺参数,可得到最高膜基结合力。;5、热处理。
有研究表明,对薄膜进行高温退火可以大幅降低薄膜中的残余应力,大大改善膜基结合力,消应力退火温度很高时亦可保证不损坏膜层的结构。
6、形成与薄膜和基体结构相近的界面,成分和硬度的连续过渡均有利于得到良好的膜基结合。;THANK YOU !
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