半导体硅材料基础复习参考资料-终稿.docxVIP

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2020-09-22 发布于四川
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半导体硅材料基础复习参考资料-终稿.docx

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一、填空 1、所谓少子寿命是指半导体中非平衡少数载流子平均存在的时间长短 2、直拉法生长单晶硅的过程有润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光。其中，缩颈的主要目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除____籽晶__内原有位错的延伸。 3、精馏是利用不同组分有不同的___沸点__，在同一温度下各组分具有不同的_蒸汽压___的特点进行分离的。 4、写出生成三氯氢硅的化学方程式：Si+3HCl=SiHCl3+H2 。 5、改良西门子法包括五个主要环节SiHCl3的合成；SiHCl3精馏提纯；SiHCl3的氢还原；尾气的回收；SiCl4的氢化分离 6、总厚度变差TTV是指：____________；翘曲度WA