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. 第 8 章 直流稳压电源 1. 对半导体而言，其正确的说法是（ ） （A）P 型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电 （B）N 型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电 （C）P 型半导体和 N 型半导体本身都不带电 2. 在杂质半导体中多子的数量与 （ ）有关，少子的 数量与（ ）有关； 当温度升高时，少子的数量（ ） A）掺杂浓度 （ B）温度（ C）减少 D）不变（ E）增多 3. 在右图 (a)所示电路中， UO 为（ ） （ A ） -12V （ B ） -9V （ C ） -3V (a) 在右图 (b)所示电路中，二极管 D1，D2，D3 的 工作状态为（ ） （A） D1，D2 截止， D3 导通 （B） D1 导通， D2，D3 截止 （C） D1，D2，D3 均导通 (b) 下图所示削波电路中， U=5V ， ui= 10sinω tV ，二极管的正向压降忽略不计，试分别画出输出电压 uo 的波形。 6. 直流稳压电源由变压器、 、 、 四个部分组成。 7. 在单相桥式整流电路中，已知变压器副边电压 U2= 20V, 则输出电压 UO= 伏； 加上电容滤波后， UO 伏。 = 9 章 基本放大电路 在放大电路中，若测得某三极管三个极的电位分别为9V 、2.5V 、3.2V ，则这三个极分别为 （ ） （A）C，B，E （B） C，E，B （C） E，C， B 在放大电路中，若测得某三极管三个极的电位分别为-9V、 -6.2V 、-6V ，则 -6.2V 的那个极 为（ ） （A）集电极 （B）基极 （C）发射极 3. 在放大电路中，若测得某三极管三个极的电位分别为 6V、1.2V 、1V ，则该管为（ ） . . （A）NPN 型硅管 （B） PNP 型锗管 （ C） NPN 型锗管 4. 对某电路中一个 NPN型硅管测试，测得 UBE>0,UBC >0,UCE>0,则此管工作在（ ） （A）放大区 （B）饱和区 （C）截止区 5. 对某电路中一个 NPN型硅管测试，测得 UBE>0,UBC <0,UCE>0,则此管工作在（ ） （A）放大区 （B）饱和区 （C）截止区 6. 晶体管的控制方式为（ ） （A）输入电流控制输出电压 （ B）输入电流控制输出电流 （C）输入电压控制输出电压 晶体管放大电路如下图 (a)示，已知 UCC=12V, RC=3kΩ , RB=240kΩ，晶体管的 β=40 （1）试用直流通道估算各静态值 I B , I C , UCE ；（2）如晶体管的输出特性如图 (b)示，试用图解法作出放大电路的静态工作点； （3）在静态时 (ui =0)，C1 和 C2 上的电压各为多少？并标出极性。 8. 上图 (a)放大电路的直流通道如右图示，若将 R 减小，则集电极电流 I （ ），集电极 电位 V C（ ） （ ）增大 B C （ ）减小 （C）不变 A B 9. 上图 (a)放大电路中晶体管原处于放大状态，若将 RB 调到零，则晶体管（ ） （A）处于饱和状态 （B）仍处于放大状态 （C）被忽略 上右图放大电路的直流通道中， UCC=12V, RC=3kΩ,β=50， UBE 可忽略，若 UCE=6V，则 RB 应为（ ） （A） 360kΩ （B） 300kΩ （C） 600kΩ 上右图放大电路的直流通道中， UCC=12V, RC=3kΩ , β=50，UBE 可忽略，若 I C= 1.5mA ，则 R 应为（ ） （A ）360kΩ （ B） 400kΩ （C） 600kΩ B 上面第 7 题图 (a)放大电路中各个交流分量的相位关系： u 与 u （ ） ; u 与 i c （ ） ; i 与 i （ ） oi o b c （A）同相 （B）反相 （C）相位任意 单管共发射极电压放大电路的截止失真和饱和失真波形有何特点， 应如何调整 RB 电阻（增大或减小）才能消除失真？ 14. 右图示分压式偏置放大电路中，若只将交流旁路电容 CE 除 去，则电压放大倍数 |Au|（ ） （A）增大 （B）减小 （C）不变 15. 射极输出器（ ） （A）有电流放大作用，没有电压放大作用。 （B）有电流放大作用，也有电压放大作用。 （C）没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 . . 第 10 章 集成运算放大器 一、填空题 1. 集成运算放大器是放大倍数 的 耦合的 级放大电路。 2. 理想运放的两个特点， “虚短”指的是： ； “虚断”指的是： ； 3. 理想运放的主要条件， 开环电压放大倍数： AO 开环输入电阻：r i ； 开环输出电阻： ro ； 二、选择题 1. 下图 (a) 所示电路中，若运算放大器的电源电压为正负 15