电子科技大学半导体物理B考试试题与参.pdf

电子科大2005－2006 年第一学期 一、选择填空（含多选题）（18 分） 1、重空穴是指（ C ） A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B 、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D 、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 2、硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ） A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 3、电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（ C ）。 A、各处出现的几率相同 B 、各处的相位相同 C、各元胞对应点出现的几率相同 D 、各元胞对应点的相位相同 4、本征半导体是指（ A ）的半导体。 A、不含杂质与缺陷； B 、电子密度与空穴密度相等； C、电阻率最高； C、电子密度与本征载流子密度相等。 5、简并半导体是指（ A ）的半导体 A、(E -E )或(E -E ) ≤0 C F F V B 、(E -E )或(E -E ) ≥0 C F F V C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D 、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 6、当Au 掺入 Si 中时，它引入的杂质能级是（ A ）能级，在半导体中起的 是（ C ）的作用；当B 掺入Si 中时，它引入的杂质能级是（ B ）能级， 在半导体中起的是（ D ）的作用。 A、施主 B 、受主 C、深 D 、浅 7、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3 , 磷为1015 cm-3 ，则该半导体为（ B ） 半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9 ×1014cm-3 8、3 个硅样品的掺杂情况如下： 甲．含镓1×1017 -3 17 -3 15 -3 cm ；乙.含硼和磷各1×10 cm ；丙.含铝1×10 cm 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以EV 为基准）的顺序是( B ) A. 甲乙丙； B. 甲丙乙； C.乙丙甲； D.丙甲乙 9、以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn 与温度的（ B ）。 A、平方成正比； B、3/2 次方成反比； C、平方成反比； D、1/2 次方成正比； 10、公式 * 中的 是载流子的（ C ）。 µ qτ/ m τ 1 A、散射时间； B 、寿命； C、平均自由时间； C、扩散系数。 11、对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（ A ） A. 无关； B. 成正比； C. 成反比； D. 的平方成反比 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A、Wms =0 B 、Wms ＜0 C、Wms ＞0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、在MIS 结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加 到足够大的正值的的过程中，如半导体