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学 海 无 涯 ;学 海 无 涯
基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯
§3. 5 一般情况下的载流子统计分布;学 海 无 涯 ;6;学 海 无 涯
俘获电子过程：电子俘获率=rnn(Nt-nt)
发射电子过程：电子产生率=s-nt， s? ? rn n1
俘获空穴过程：空穴俘获率=rppnt
发射空穴的过程：空穴产生率=s+(Nt-nt)，s+=rpp1 有效复合中心能级的位置为禁带中线附近。
§5.6. 载流子的扩散运动。;学 海 无 涯 ;学 海 无 涯
体电阻效应以及产生电流，使得实际电流-电压特性偏离理想情形。归纳如下：;学 海 无 涯
过禁带而进入到n 区导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿 现象的，故叫齐纳击穿。重掺杂的半导体形成的p-n 结更容易发生隧道击穿。
3、热电击穿
不同类型半导体的击穿机理;10
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