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射频PA行业生态技术发展分析 技术创新 变革未来 射频模块是无线通信设备的核心模块 图：手机射频架构 无线通信主要是利用电磁波实现多个设备之间 的信息传输 。射频是可以辐射到空间的电磁频 率, 频率范围从300KHz ～300GHz之间 。射频模块 是用于发射和/ 或接收两个装置之间的无线电信 号的电子设备 ，是无线通信设备实现信号收发 的核心模块 。 图：无线通信图 图：基站射频架构 3 射频PA是决定通信质量的关键器件 图：手机射频前端架构图 ⚫ 功率放大器是能够向天线提 供足够信号功率的放大电路 ， 主要功能是将调制振荡电路 所产生的功率很小的射频信 号放大 （缓冲级 、中间放大 级 、末级功率放大级 ）并馈 送到天线上辐射出去 ，是无 线通信设备射频前端最核心 的组成部分 ，其性能直接决 定了无线终端的通讯距离 、 信号质量和待机时间 （或耗 电量），它也是射频前端功 耗最大的器件 。 ⚫ 射频功率放大器在雷达 、无 线通信 、导航 、卫星通信 、 电子对抗设备等系统中有着 广泛的应用 ，是现代无线通 信的关键设备 。 资料来源：GlobalFoundries ,华西证券研究所 6 5G应用场景 18 资料来源：Yole，华西证券研究所 5G关键技术 19 资料来源：Yole，华西证券研究所 手机射频PA单机用量大幅增加 新增一个频段将会增加2颗PA的使用量，新增三个频段大概增加6颗左右 的PA芯片，4G多模多频手机需要5-7颗PA，预测5G多模多频手机内的PA芯 片最多或将达到16颗。 图：3G、4G、5G手机射频前端器件大幅度增多 27 资料来源：MWRF ，华西证券研究所 射频PA的工艺及演进 图：射频PA工艺演进 ◆ 目前射频PA的常见工艺有GaAs、 SiGe BiCMOS、CMOS和RF-SOI。GaAs 具有射频性能好、击穿电压高等优 势，但成本高、难于集成，未来发 展方向主要在于开发更大尺寸晶圆 技术降低制造成本。其他三者均是 以硅为基础的半导体工艺，具有集 成度好、成本低等优势，但材料性 能局限明显。 ◆ 四者优劣势及发展方向见下表： 工艺 优势 劣势 发展方向 GaAs RF性能好、击穿电压高 成本高、难于集成 开发200mm晶圆技术，更大的尺寸将 降低制造成本 SiGe BiCMOS 高频特性好、集成度高、 截止频率与击穿电压过低， 提高截止频率和击穿电压，降低功 良率和成本优势 功率消耗较高 耗 CMOS 低成本、