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详谈服务器内存和显存知识 早期内存通过存储器总线和北桥相连 ，北桥通过前端总线与 CPU通信。从 Intel Nehalem起 ，北桥被集成到 CPU 内部 ，内存直接通过存储器总线和 CPU相连。 所以 ，在 AMD采用 Socket FM1 ，Intel采用 LGA 1156插槽之后的处理器都 集成了北桥 ，独立的北桥已经消失 ，主板上仅余下南桥。 计算机体系的主要矛盾在于 CPU太快了 ，而磁盘太慢了。所以它俩是不能够直 接通信的 ，需要增加一个过渡层 ，这就是内存的作用。哈佛结构是一种将程序指 令存储和数据存储分开的存储器结构。 内存(Memory)也被称为内存储器 ，其作用是用于暂时存放 CPU 中的运算数据 ， 以及与硬盘等外部存储器交换的数据。计算机中所有程序的运行都是在内存中进 行的 ，因此内存的性能对计算机的影响非常大。 1996年底 ，SDRAM开始在系统中出现 ，不同于早期的技术 ，SDRAM的出现 是为了与 CPU的计时同步化所设计。 SDRAM亦可称为SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM) ，Single Data Rate 为单倍数据传输率 ，SDRSDRAM的核心、I/O、等效时脉皆相同 ，SDRSDRAM 在 1个周期内只能读写 1次 ，若需要同时写入与读取 ，必须等到先前的指令执 行完毕 ，才能接着存取。 DDR SDRAM为双通道同步动态随机存取内存 ，是新一代的 SDRAM技术。别 于 SDR(Single Data Rate)单一周期内只能读写 1次 ，DDR 的双倍数据传输率 指的就是单一周期内可读取或写入 2次。在核心频率不变的情况下 ，传输效率为 SDR SDRAM的 2倍。 总结 ：DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据 ，1个时钟信号可以传输 2 倍于 SDRAM的数据 ，所以又称为双倍速率 SDRAM。它的倍增系数就是 2。 DDR2 SDRAM为双通道两次同步动态随机存取记忆体。DDR2 内存 Prefetch 又再度提升至 4bit(DDR的两倍) ，DDR2 的 I/O 时脉是 DDR的 2倍。 总结 ：DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降时各传一次数据的技术(不是传 2次) ， 但是一次预读 4bit 数据 ，是 DDR一次预读 2bit 的 2倍 ，因此 ，它的倍增系数 是 2X2=4。 DDR3SDRAM为双通道三次同步动态随机存取记忆体。DDR3记忆体 Prefetch 提升至 8bit ，即每次会存取 8 bits 为一组的数据。DDR3传输速率介于 800～ 1600 MT/s之间。 此外 ，DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，较 DDR2的 1.8V更为省电。DDR3 也新增 ASR (Automatic Self-Refresh)、SRT(Self-RefreshTemperature)等两 种功能 ，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率 ，确 保系统数据完整性。 总结 ：DDR3作为 DDR2 的升级版 ，最重要的改变是一次预读 8bit ，是 DDR2 的 2倍 ，DDR的4 倍 ，所以 ，它的倍增系数是 2*2*2=8。 DDR4 SDRAM提供比 DDR3/DDR2 更低的供电电压 1.2V 以及更高的频宽。 DDR4 新增了4 个 Bank Group 组的设计 ，各个 Bank Group具备独立启动 操作读、写等动作特性 ，Bank Group 组可套用多工的观念来想像 ，亦可解释 为 DDR4 在同一时脉工作周期内 ，至多可以处理 4 组数据 ，移动学习效率明显 好过于 DDR3。 另外 ，DDR4 增加 了 DBI(Data BusInversion) 、CRC(Cyclic Redundancy Check)、CA parity 等功能 ，让 DDR4 内存在更快速与更省电的同时亦能够增 强信号的完整性和储存的可靠性。 Intel在 2017年推出对应于六代酷睿 Skylake 的 ai服务器平台 “Purley” ，采 用 14nm工艺、最多 28核心 56线程、6通道 DDR4 内存、光纤互连通道 ，采 用 UPI总线替代 QPI总线等等。UPI是 UltraPath Interconnect(超级通道互连) 缩写 ，数据传输率可达 9.6GT/s、10.4GT/s ，带宽更足 ，灵活性更强 ，每条消息 可以发送多个请求。 内存未来三大演进方向分别为容量、电压和频率。  容量越来越大(4GB ->8GB -> 16G